Исследование биполярных структур. Медведев С.П - 1 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Министерство образования Российской Федерации
ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
кафедра микроэлектроники
Лабораторная работа
Исследование биполярных структур
Методические указания
Пенза 2005
сигнала через диод.
6. Входные и выходные характеристики транзисторов.
7. Принцип работы биполярного транзистора.
8. Режимы работы транзистора.
9. Температурные зависимости характеристик и пара-
метров транзисторной структуры.
10. Основные электрические параметры биполярных
транзисторов.
11. Отличие характеристик кремниевых и германиевых
транзисторов.
12. Основные требования к конструкции биполярного
транзистора.
13. Операции технологического процесса изготовления
транзисторных структур.
14. Отличие реальных полупроводниковых структур от
идеальных.
15. Принцип усиления сигнала биполярным транзисто-
ром.
Литература
1. Медведев С. П. Физика полупроводниковых и
микроэлектронных приборов: Учеб. пособие. –
Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1996.
2. Пасынков В. В., Чиркин П.К., Шинков А.Д.
Полупроводниковые приборы: Учебник для ву-
зов. – М.: Высш. школа, 1981.
3. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники:
Учеб. пособие для вузов. – М.: Сов. радио, 1980.
24 
сигнала через диод.                                           Министерство образования Российской Федерации
     6. Входные и выходные характеристики транзисторов.
     7. Принцип работы биполярного транзистора.             ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
     8. Режимы работы транзистора.                                     кафедра микроэлектроники
     9. Температурные зависимости характеристик и пара-
метров транзисторной структуры.
     10. Основные электрические параметры биполярных
транзисторов.
     11. Отличие характеристик кремниевых и германиевых
транзисторов.
     12. Основные требования к конструкции биполярного
транзистора.                                                            Лабораторная работа
     13. Операции технологического процесса изготовления
транзисторных структур.
     14. Отличие реальных полупроводниковых структур от
                                                           Исследование биполярных структур
идеальных.
     15. Принцип усиления сигнала биполярным транзисто-
ром.                                                                   Методические указания

                       Литература
    1. Медведев С. П. Физика полупроводниковых и
       микроэлектронных приборов: Учеб. пособие. –
       Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1996.
    2. Пасынков В. В., Чиркин П.К., Шинков А.Д.
       Полупроводниковые приборы: Учебник для ву-
       зов. – М.: Высш. школа, 1981.
    3. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники:
       Учеб. пособие для вузов. – М.: Сов. радио, 1980.




                                                                              Пенза 2005


                            24

Страницы