ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
УДК 621. 315.416
Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Аб-
рамов В.Б., Карпанин О. В. Исследование биполярных
структур.
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и
предназначены для студентов специальностей 200200, 200100,
220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин “Материалы
электронной техники и основы микроэлектроники”, “Мате-
риалы в приборостроении”, “Радиоматериалы и радиодетали”,
при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектиро-
вания.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного универ-
ситета
4. Определите нулевой ток и коэффициент усиления
транзистора.
5. Снять температурные зависимости характеристик для
схем включения, указанных преподавателем.
Примечание. Для повторения температурных измерений
нужно ждать, пока остынет нагреватель.
6. Сформировать и отпечатать отчет.
Примечание. Графики можно печатать непосредственно
из программы и потом добавить необходимые примечания от
руки; либо сформировать отчет в любом текстовом редакторе
(например, WinWord), используя команду Правка – Копиро-
вать.
Отчет должен содержать:
- схемы измерения;
- ВАХ диодных включений транзисторной структу-
ры;
- увеличенные области ВАХ, демонстрирующие оп-
ределения напряжения пробоя и напряжения отпи-
рания;
- входные и выходные характеристики транзистора;
- заданную преподавателем температурную зависи-
мость.
В отчете необходимо дать выводы по полученным ре-
зультатам и сопоставить их с лекционным материалом и ли-
тературными данными.
Контрольные вопросы
1. Особенности формирования биполярных приборов в
интегральном исполнении. Методы изоляции структур.
2. Схемы диодного включения транзисторной структу-
ры, их характеристики.
3. Явление пробоя p-n-перехода. Лавинный, туннель-
ный и тепловой виды пробоя.
4. Энергетические диаграммы p-n-перехода, высота
потенциального барьера.
5. Рабочая точка. Прохождение малого переменного
23
4. Определите нулевой ток и коэффициент усиления
УДК 621. 315.416 транзистора.
5. Снять температурные зависимости характеристик для
схем включения, указанных преподавателем.
Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Аб-
Примечание. Для повторения температурных измерений
рамов В.Б., Карпанин О. В. Исследование биполярных
нужно ждать, пока остынет нагреватель.
структур.
6. Сформировать и отпечатать отчет.
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и
Примечание. Графики можно печатать непосредственно
предназначены для студентов специальностей 200200, 200100,
из программы и потом добавить необходимые примечания от
220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин “Материалы
руки; либо сформировать отчет в любом текстовом редакторе
электронной техники и основы микроэлектроники”, “Мате-
(например, WinWord), используя команду Правка – Копиро-
риалы в приборостроении”, “Радиоматериалы и радиодетали”,
вать.
при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектиро-
вания.
Отчет должен содержать:
- схемы измерения;
- ВАХ диодных включений транзисторной структу-
ры;
- увеличенные области ВАХ, демонстрирующие оп-
ределения напряжения пробоя и напряжения отпи-
рания;
- входные и выходные характеристики транзистора;
- заданную преподавателем температурную зависи-
мость.
В отчете необходимо дать выводы по полученным ре-
зультатам и сопоставить их с лекционным материалом и ли-
тературными данными.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного универ-
ситета
Контрольные вопросы
1. Особенности формирования биполярных приборов в
интегральном исполнении. Методы изоляции структур.
2. Схемы диодного включения транзисторной структу-
ры, их характеристики.
3. Явление пробоя p-n-перехода. Лавинный, туннель-
ный и тепловой виды пробоя.
4. Энергетические диаграммы p-n-перехода, высота
потенциального барьера.
5. Рабочая точка. Прохождение малого переменного
23
