ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
УДК 621. 315.416
Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Абра-
мов В.Б., Карпанин О. В. Исследование униполярных струк-
тур.
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и
предназначены для студентов специальностей 200200, 200100,
220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин “Материалы
электронной техники и основы микроэлектроники”, “Материалы
в приборостроении”, “Радиоматериалы и радиодетали”, при вы-
полнении УИРС
, курсового и дипломного проектирования.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного
университета
4. Какие физические факторы могут влиять на характер за-
висимости тока стока от напряжения на стоке полевого
транзистора с управляющим переходом?
5. Какими физическими явлениями, происходящими в по-
левом транзисторе ограничивается диапазон рабочих
частот этого прибора?
6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с инду-
цированным и со встроенным каналами? Как это
отличие
отражается на статических характеристиках передачи и
каковы специфические параметры тех и других полевых
транзисторов?
7. Полевые транзисторы с изолированным затвором и ин-
дуцированным каналом. Распределение зарядов при раз-
личных напряжениях на затворе.
8. Каков принцип действия приборов с зарядовой связью?
9. Какие существуют разновидности структур секции пере-
носа приборов
с зарядовой связью?
10. Каков смысл основных параметров прибора с зарядовой
связью?
11. Какие факторы влияют на эффективность переноса ин-
формационного заряда в приборе с зарядовой связью?
12. Каковы основные применения приборов с зарядовой свя-
зью?
Литература
1. Пасынков В. В., Чиркин П.К., Шинков А.Д. Полупро-
водниковые приборы: Учебник для вузов. – М.:
Высш. школа, 1981.
2. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб.
пособие для вузов. – М.: Сов. радио, 1980.
23
4. Какие физические факторы могут влиять на характер за-
УДК 621. 315.416 висимости тока стока от напряжения на стоке полевого
транзистора с управляющим переходом?
5. Какими физическими явлениями, происходящими в по-
Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Абра- левом транзисторе ограничивается диапазон рабочих
мов В.Б., Карпанин О. В. Исследование униполярных струк- частот этого прибора?
тур. 6. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с инду-
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и цированным и со встроенным каналами? Как это отличие
предназначены для студентов специальностей 200200, 200100, отражается на статических характеристиках передачи и
220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин “Материалы каковы специфические параметры тех и других полевых
электронной техники и основы микроэлектроники”, “Материалы транзисторов?
в приборостроении”, “Радиоматериалы и радиодетали”, при вы- 7. Полевые транзисторы с изолированным затвором и ин-
полнении УИРС, курсового и дипломного проектирования. дуцированным каналом. Распределение зарядов при раз-
личных напряжениях на затворе.
8. Каков принцип действия приборов с зарядовой связью?
9. Какие существуют разновидности структур секции пере-
носа приборов с зарядовой связью?
10. Каков смысл основных параметров прибора с зарядовой
связью?
11. Какие факторы влияют на эффективность переноса ин-
формационного заряда в приборе с зарядовой связью?
12. Каковы основные применения приборов с зарядовой свя-
зью?
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного Литература
университета
1. Пасынков В. В., Чиркин П.К., Шинков А.Д. Полупро-
водниковые приборы: Учебник для вузов. – М.:
Высш. школа, 1981.
2. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб.
пособие для вузов. – М.: Сов. радио, 1980.
23
