Исследование униполярных структур. Медведев С.П - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

переход, гете
р
опереход или выпрямляющий переход Шоттки.
Полевой транзистор с гетеропереходом делают методом эпитак-
сии соединений типа A
III
B
V
на кристалле GaAs. Выпрямляющие
переходы Шоттки осуществляют нанесением металла на кри-
сталлы Si, GaAs или на различные гетероструктуры. В настоя-
щее время наиболее распространены полевые транзисторы с
управляющим p-n-переходом в кристаллах Si.
Рисунок 1 – Схематическая конструкция полевого
транзистора с управляющим p-n-переходом
Как показано на рисунке 1 затвор транзистора с управ-
ляющим p-n-переходом представляет собой сильно легирован-
ный полупроводник p
+
-типа. Напряжение на p-n-переходе сме-
щено в обратном направлении, и, значит, при увеличении на-
пряжения обедненный слой под затвором распространяется в
сторону слаболегированного n-канала. В результате сопротивле-
ние канала увеличивается, а ток во внешней цепи уменьшается.
Если канал тонкий (a мало), то он может быть перекрыт у истока
уже при U
з
=0 за счет равновесной разности потенциалов ψ
0
. То-
гда для восстановления проводимости канала к затвору надо
приложить положительное напряжение |U
з
|
<
ψ
0
.
С помощью УИН изменяется U
си
транзистора в диапазоне от
нуля до заданного предельного значения (±5В), при этом изме-
ряется I
с
. Можно снять семейство выходных характеристик при
различных значениях U
зи
(±6В), задаваемых УИН. Выбор необ-
ходимых значений U
зи
осуществляется путем перемещения
движка регулятора напряжения затвор-исток. Правильно выби-
райте предел измерения по току стока.
Примерный ход выполнения работы
1. При помощи выпадающего списка, выбрать номер исследуе-
мого образца, соответствующего транзистору с управляю-
щим p-n-переходом и n-каналом. Например, КП 303 Г .
2. При помощи выпадающего списка, выбрать режим измерений
для снятия передаточных характеристик.
3. Установить начальное напряжение затвор-исток –3В и
конечное напряжение затвор-исток 0 В.
4. Установить пределы измерений для тока стока 50 мА.
5. Установить флажок «Обновлять».
6. Установить напряжение сток-исток равное 1 В.
7. Нажать кнопку «Сохранить серию».
8. При помощи кнопки «+» записать полученную характеристи-
ку в серию измерений базы данных.
9. Установить напряжение сток–исток 2 В.
10. Записать полученную характеристику в серию измерений
базы данных.
11. Повторить пп. 11–12 еще для нескольких возрастающих
значений напряжений сток–исток.
12. Завершить измерение серии, нажав кнопку « ».
13. При помощи выпадающего списка, выбрать режим
измерений для снятия крутизны.
14. Повторить пп. 8–14.
15. Выбрать номер исследуемого образца, соответствующего
транзистору с управляющим p-n-переходом и p-каналом.
16. При помощи выпадающего списка, выбрать режим
измерений для снятия передаточной характеристики.
17. Если необходимо, изменить значения напряжений и пределы
4 21 
переход, гетеропереход или выпрямляющий переход Шоттки.              С помощью УИН изменяется Uси транзистора в диапазоне от
Полевой транзистор с гетеропереходом делают методом эпитак-      нуля до заданного предельного значения (±5В), при этом изме-
сии соединений типа AIIIBV на кристалле GaAs. Выпрямляющие       ряется Iс. Можно снять семейство выходных характеристик при
переходы Шоттки осуществляют нанесением металла на кри-          различных значениях Uзи (±6В), задаваемых УИН. Выбор необ-
сталлы Si, GaAs или на различные гетероструктуры. В настоя-      ходимых значений Uзи осуществляется путем перемещения
щее время наиболее распространены полевые транзисторы с          движка регулятора напряжения затвор-исток. Правильно выби-
управляющим p-n-переходом в кристаллах Si.                       райте предел измерения по току стока.

                                                                      Примерный ход выполнения работы
                                                                 1. При помощи выпадающего списка, выбрать номер исследуе-
                                                                     мого образца, соответствующего транзистору с управляю-
                                                                     щим p-n-переходом и n-каналом. Например, КП 303 Г .
                                                                 2. При помощи выпадающего списка, выбрать режим измерений
                                                                     для снятия передаточных характеристик.
                                                                 3. Установить начальное напряжение затвор-исток –3В и
                                                                     конечное напряжение затвор-исток 0 В.
                                                                 4. Установить пределы измерений для тока стока 50 мА.
                                                                 5. Установить флажок «Обновлять».
                                                                 6. Установить напряжение сток-исток равное 1 В.
                                                                 7. Нажать кнопку «Сохранить серию».
                                                                 8. При помощи кнопки «+» записать полученную характеристи-
                                                                     ку в серию измерений базы данных.
       Рисунок 1 – Схематическая конструкция полевого
          транзистора с управляющим p-n-переходом                9. Установить напряжение сток–исток 2 В.
                                                                 10. Записать полученную характеристику в серию измерений
       Как показано на рисунке 1 затвор транзистора с управ-         базы данных.
ляющим p-n-переходом представляет собой сильно легирован-        11. Повторить пп. 11–12 еще для нескольких возрастающих
ный полупроводник p+-типа. Напряжение на p-n-переходе сме-           значений напряжений сток–исток.
щено в обратном направлении, и, значит, при увеличении на-       12. Завершить измерение серии, нажав кнопку « ».
пряжения обедненный слой под затвором распространяется в
сторону слаболегированного n-канала. В результате сопротивле-    13. При помощи выпадающего списка, выбрать режим
ние канала увеличивается, а ток во внешней цепи уменьшается.         измерений для снятия крутизны.
Если канал тонкий (a мало), то он может быть перекрыт у истока   14. Повторить пп. 8–14.
уже при Uз =0 за счет равновесной разности потенциалов ψ0. То-   15. Выбрать номер исследуемого образца, соответствующего
гда для восстановления проводимости канала к затвору надо            транзистору с управляющим p-n-переходом и p-каналом.
приложить положительное напряжение |Uз|<ψ0.                      16. При помощи выпадающего списка, выбрать режим
                                                                     измерений для снятия передаточной характеристики.
                                                                 17. Если необходимо, изменить значения напряжений и пределы
                               4                                                             21

Страницы