ВУЗ:
Составители:
178
действующие элементы микропроцессора. В этом случае наибо-
лее активный обмен сигналами осуществляется только на не-
большой части кристалла, сокращая общую длину трактов пере-
дачи данных.
8.2. Увеличение пропускной
способности подсистем памяти
Спектр возможных решений по увеличению пропускной
способности подсистем памяти, снабжающей функциональные
устройства процессора работой, включает:
– создание кэш-памятей одного или нескольких уровней;
– увеличение пропускной способности интерфейсов между
процессором и кэш-памятью, а также между процессором и ос-
новной памятью.
Наиболее часто используемое решение состоит в реализа-
ции иерархии кэшей. Как правило, на кристалле располагаются
раздельные кэш-памяти первого уровня для данных и команд с
емкостью в 16 Кб или 32 Кб каждая. Мощные процессоры име-
ют на кристалле и объединенную кэш-память команд и данных
второго уровня, емкость которой может составлять от несколь-
ких сотен килобайт до нескольких мегабайт. Кроме этого, как
правило, в схему микропроцессора включается интерфейс, по-
зволяющий подключать кэш-память третьего (или второго)
уровня.
Скорость передачи данных определяется количеством пе-
редаваемой информации в байтах за единицу времени, поэтому
совершенствование интерфейсов реализуется как увеличением
пропускной способности шин (путем повышения частоты рабо-
ты шины и/или ее ширины), так и введением дополнительных
шин, «расшивающих» конфликты между процессором, кэш-
памятью и основной памятью. В последнем случае одна шина
работает на частоте процессора с кэш-памятью, а вторая – на
частоте работы основной памяти.
действующие элементы микропроцессора. В этом случае наибо- лее активный обмен сигналами осуществляется только на не- большой части кристалла, сокращая общую длину трактов пере- дачи данных. 8.2. Увеличение пропускной способности подсистем памяти Спектр возможных решений по увеличению пропускной способности подсистем памяти, снабжающей функциональные устройства процессора работой, включает: – создание кэш-памятей одного или нескольких уровней; – увеличение пропускной способности интерфейсов между процессором и кэш-памятью, а также между процессором и ос- новной памятью. Наиболее часто используемое решение состоит в реализа- ции иерархии кэшей. Как правило, на кристалле располагаются раздельные кэш-памяти первого уровня для данных и команд с емкостью в 16 Кб или 32 Кб каждая. Мощные процессоры име- ют на кристалле и объединенную кэш-память команд и данных второго уровня, емкость которой может составлять от несколь- ких сотен килобайт до нескольких мегабайт. Кроме этого, как правило, в схему микропроцессора включается интерфейс, по- зволяющий подключать кэш-память третьего (или второго) уровня. Скорость передачи данных определяется количеством пе- редаваемой информации в байтах за единицу времени, поэтому совершенствование интерфейсов реализуется как увеличением пропускной способности шин (путем повышения частоты рабо- ты шины и/или ее ширины), так и введением дополнительных шин, «расшивающих» конфликты между процессором, кэш- памятью и основной памятью. В последнем случае одна шина работает на частоте процессора с кэш-памятью, а вторая – на частоте работы основной памяти. 178
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 176
- 177
- 178
- 179
- 180
- …
- следующая ›
- последняя »