Исследование магнитного поля. Меньшов Е.Н. - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

1. Изучить содержание §9-21, 12-12 /4/,§21-21 /1/.
2. Изучить нижеприведенные теоретические сведения о магнитном и
электромагнитном экранировании.
2.1. Магнитное экранирование
В тех случаях, когда большое влияние оказывает магнитная состав-
ляющая поля, а электрическая несущественна, одним из возможных спосо-
бов защиты является помещение защищенного объекта внутрь замкнутой
оболочки из ферромагнитного материала с высокой магнитной проницаемо-
стью. Напряженность магнитного поля внутри такого экрана во много раз
меньше чем снаружи: при простых формах экрана (шар, эллипсоид) коэффи-
циент экранирования может быть найден аналитически. Так, например, если
экран представляет собой полый шар (рис. 2.2) с внутренним радиусом R1,
внешним радиусом R2 и с относительной магнитной проницаемостью мате-
риала шара
µ
эк
(среда вне шара и внутри его немагнитная, т.е.
µ
=1), коэф-
фициент экранирования при однородном (до внесения экрана) поле равен:
(2.1)
Где Н
0
- напряженность магнитного поля до внесения экрана;
H - напряженность магнитного поля в полости экрана (внутри шара).
Считаем, что поле внутри экрана остается однородным. Если толщина
стенки экрана d=R
2
– R
1
значительно меньше его среднего радиуса R и
µ
эк
>>1, то формула (2.1) упрощается:
(2.2)
Формула (2.1) выведена для постоянного поля, но ей можно пользо-
)2)(1(
9
2
1
1
3
2
3
1
0
−+−+==
−
ЭКЭКЭК
R
R
H
H
K
µµ
3
2
1
'
0
R
d
H
H
ЭК
µ
+≈

Страницы