Основы конденсаторостроения. Меркулов В.И. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

ЭИКТ ЭЛТИ
10
Таблица 1.2
Тип поляриза-
ции
Вид
диэлектрика
Зависимость
ε
= f( f)
Зависимость
ε
= f(T)
Быстро проте-
кающие виды по-
ляризации:
(электронная, уп-
ругая ионная)
неполярные,
ионные с плот-
ной упаковкой
ионов
Медленно уста-
навливающиеся
виды поляриза-
ции:
(дипольно-релакса-
ционная, ионно-
релаксационная,
структурная, до-
менная и др.
полярные,
ионные с не-
плотной
упаковкой
ионов,
сегнетоэлек-
трики и др.
Уменьшение диэлектрической проницаемости на втором участке либо
обуславливается разбросом диполей интенсивным тепловым хаотическим
движением в случае полярных диэлектриков, либо разрушением доменной
структуры в случае сегнетоэлектриков.
Для ионных диэлектриков с неплотной упаковкой ионов величина
ε
увеличивается с ростом температуры за счет увеличения степени смещения
ионов и ослабления сил межмолекулярного взаимодействия. В них, по срав-
нению с ионными диэлектриками с плотной упаковкой ионов, возрастание
ε
с увеличением температуры имеет более резкий характер.
1.4.2. Емкость конденсаторов
Емкость конденсатора является одной из важнейших его характеристик
и характеризует отношение заряда, накопленного в конденсаторе к величине
напряжения, приложенного к обкладкам.
][, Ф
U
Q
С =
. (1.2)
Если диэлектрик, разделяющий обкладки, имеет форму пластинки или
плоского диска (слюда, керамика и др.), то применяется плоский тип конден-
сатора (рис.1.1 а), емкость которого находится:
],[0885.0
1094
11
пФ
d
S
d
S
d
S
С
o
⋅
=
⋅
⋅
⋅
⋅
=
⋅
=
ε
π
ε
εε
(1.3)
где d – толщина диэлектрика, см;
S – активная площадь обкладок, см
2
;
ε
– диэлектрическая проницаемость.

Страницы