Основы конденсаторостроения. Меркулов В.И. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

ЭИКТ ЭЛТИ
12
где b – ширина обкладки, см;
l – длина обкладки, см;
d – толщина диэлектрика между обкладками, см.
При намотке спиральных конденсаторов необходимо знать зависимость
числа витков N от их емкости. Эта зависимость при намотке на цилиндриче-
скую оправку может быть выражена уравнением
o
o
dd
DD
N
+
−⋅
=
)(105.2
3
. (1.7)
Здесь D,D
0
- соответственно наружный диаметр конденсатора и диаметр
оправки, см;
d,d
0
- соответственно толщина диэлектрика и фольговых обкладок,
мкм;
Значение D, можно найти
kCDD
o
+=
2
,
где
b
ddd
k
o
⋅
+
=
ε
)(144.0
, а емкость С в мкФ.
При намотке на плоскую оправку, шириной В (в см)
2
2
21
kkCkN −+=
, (1.8)
где
)(
1005.7
5
1
o
ddb
d
k
+⋅
⋅
=
ε
, а
dod
B
k
+
⋅
=
3
2
1025.1
.
В рассмотренных уравнениях не учитывается рассеяние емкости у краев
обкладок. Это допустимо для конденсаторов большой емкости, но в конден-
саторах малой емкости (дисковых и трубчатых) необходимо учитывать воз-
растание емкости за счет ее рассеяния у краев обкладок. Обычно для этого
используют эмпирические уравнения.
В плоском дисковом конденсаторе, у которого площадь
электрода сов-
падает с площадью диэлектрика, приращение емкости за счет рассеяния
можно найти
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
= 305.125ln5,1
d
D
D
d
С
к
, [пФ]. (1.9)
Если имеется закраина, то приращение емкости учитывается коэффици-
ентом, зависящим от формы поля. В этом случае суммарная емкость может
быть рассчитана:
•
В плоском дисковом конденсаторе
d
kdD
С
2
)(
0694,0
+
=
ε
, [пФ]. (1.10)
•
В цилиндрическом (трубчатом) конденсаторе

Страницы