Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

- 117 -
Оценка возможностей получения лазерной УФ-
генерации в кристаллах при накачке СИ * делается по сле-
дующей схеме. Предполагается, что генерация происходит
по четырехуровневой схеме, время релаксации нижнего
уровня порядка 10~
12
с, заметное поглощение на длине
волны генерации отсутствует.
J
, отн. ед.
Рис. 2.22. Спектры люминес-
ценции монокристалла BeO при
возбуждении СИ в рентгеновской
области спектра при 100 К
(сплошная линия) и 300 К (пунк-
тирная линия)
Излучение существующих высокоинтенсивных источ-
ников оптического диапазона попадает в полосу поглоще-
ния решетки, поэтому коэффициент его поглощения велик
— 10
5
см
-1
Для возбуждения большего активного объема необхо-
димо использовать излучение накачки с большей прони-
кающей способностью, например СИ в рентгеновской об-
ласти.
Критическая разность заселенностей, необходимая для
возникновения генерации, равна:
∆N = 8πν
2
t
1
/c
3
t
2
g(0),
где t
1
= I/A — время жизни верхнего рабочего уровня; ν—
частота генерационного перехода; t
2
– постоянная времени
затухания для моды; g (0) = ∆ν — ширина линии. С учетом
сделанных выше замечании о свойствах переходов при
стационарной генерации это условие эквивалентно
R = 8πν
2
∆λσ/cnλ
2
, σ = σ
0
+ ln (r
1
, r
2
)
-1
/(2l), 
   Оценка возможностей получения лазерной УФ-
генерации в кристаллах при накачке СИ * делается по сле-
дующей схеме. Предполагается, что генерация происходит
по четырехуровневой схеме, время релаксации нижнего
уровня порядка 10~12 с, заметное поглощение на длине
волны генерации отсутствует.
                                  J, отн. ед.



Рис. 2.22. Спектры люминес-
ценции монокристалла BeO при
возбуждении СИ в рентгеновской
области спектра при 100 К
(сплошная линия) и 300 К (пунк-
тирная линия)




   Излучение существующих высокоинтенсивных источ-
ников оптического диапазона попадает в полосу поглоще-
ния решетки, поэтому коэффициент его поглощения велик
— 105 см-1
   Для возбуждения большего активного объема необхо-
димо использовать излучение накачки с большей прони-
кающей способностью, например СИ в рентгеновской об-
ласти.
   Критическая разность заселенностей, необходимая для
возникновения генерации, равна:
   ∆N = 8πν2t1/c3t2g(0),
где t1= I/A — время жизни верхнего рабочего уровня; ν—
частота генерационного перехода; t2 – постоянная времени
затухания для моды; g (0) = ∆ν — ширина линии. С учетом
сделанных выше замечании о свойствах переходов при
стационарной генерации это условие эквивалентно
   R = 8πν2∆λσ/cnλ2, σ = σ0 + ln (r1, r2)-1/(2l),

                            - 117 -

Страницы