Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 119 стр.

где R — количество частиц, переходящих в 1 см3 за 1 с с
основного уровня на верхний рабочий; ∆λ — ширина ли-
нии люминесценции; r1, r2 — коэффициенты отражения
зеркал резонатора; σ0 — поглощение на длине волны гене-
рации; п — показатель преломления; l — длина кристалла.
При σ = 0,005 см-1 R = 1,5.1022 с-1·см-3. Современные источ-
ники СИ обеспечивают значения R≈3×1022 c-1·см-3.
   На основе полученных экспериментальных данных бы-
ли сделаны оценки возможности получения генерации для
исследованных кристаллов с накачкой СИ существующих
накопителей [54] и показано, что для ряда кристаллов
(трифторидов лантана (рис. 2.23), окислов, CdS, щелочно-
галоидных) достигаемые сейчас на накопителях плотности
накачки уже достаточны, для других требуется некоторое
повышение интенсивности СИ.




Рис. 2.23. Схема накачки и переходов в кристалле LaF3 — Nd



                              - 118 -