Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 80 стр.

ны Бриллюэна, которые вносят наиболее изменяющийся
вклад на данной частоте.
   В случае, когда максимум валентной зоны и минимум
зоны проводимости лежат в разных точках зоны Бриллю-
эна, граница прямых переходов оказывается больше Eg. В
этом случае определяющими поглощение переходами в
области выше Eg становятся непрямые переходы — по-
глощение фотона с участием (испусканием или поглоще-
нием) фонона. Зависимость от энергии падающих фотонов
при этом более слабая. К тому же она сильнее подвержена
влиянию температуры, поскольку от температуры в высо-
кой степени зависит вероятность испускания и поглощения
фонона.
   Переходы из валентной зоны в зону проводимости дают
информацию о комбинированной межзонной плотности
состояний, поскольку при изменении энергии фотона ме-
няется как начальное, так и конечное состояние электрона.
В связи с этим крайне важную информацию о плотности
состояний в зоне проводимости дают более энергетичные
переходы с остовных уровней. Поскольку внутренние
электроны в атомах сильно связаны, энергия остовных со-
стояний очень слабо меняется с изменением квазиимпуль-
са (зоны становятся плоскими). Тем самым при изменении
энергии фотона начальное состояние при переходах с ос-
товных уровней практически не меняется, а меняется толь-
ко состояние в зоне проводимости. Подробные исследова-
ния таких переходов в области 20— 100 эВ вообще стали
возможными только благодаря применению СИ.
   Для диэлектриков с большой шириной запрещенной зо-
ны такая схема одноэлектронных переходов не позволяет
полностью объяснить зависимость спектров поглощения
от энергии фотона. В большинстве диэлектриков на краю
поглощения наблюдаются не особенности корневого типа
— особенности Ван-Хова, а достаточно резкие максиму-

                          - 79 -