ВУЗ:
Составители:
- 77 -
Рис. 2.5. Схема взаимодействия
излучения с твердым телом:
Е — ось энергий; Е — ширина запре-
щенной зоны; Д — переходы с уровней
дефектов; Э — экситоны; П — поглоще-
ние; ВЗ — валентная зона; ЗП—зона
проводимости; О— уровни остова; N —
приведенная плотность состояний; ○ —
электроны; ● — дырки
Использование СИ для исследования спектров твердых
тел позволило расширить спектральную область измере-
ний и систематически исследовать переходы из внутрен-
них состояний остова, плоских в пространстве квазиим-
пульса. Исследование таких переходов позволяет получить
дополнительную информацию о структуре зоны проводи-
мости. На схеме показаны также и переходы, связанные с
фотоэмиссией электронов.
Электронные возбуждения в твердом теле, как правило,
рассматриваются в одноэлектронном приближении [26]. В
рамках этого приближения элементарные возбуждения в
кристалле представляют собой возбужденные состояния
одного электрона, описываемые блоховской волновой
функцией, которая зависит от квазиимпульса электрона ћk.
В периодической решетке импульс ћk принимает значения
в пределах зоны Бриллюэна в пространстве квазиимпульса.
Теоретические зонные расчеты дают зависимость энергии
одноэлектронного состояния от импульса ћk. На рисунках
изображают зависимость E(k) не по всей зоне Бриллюэна,
а лишь вдоль высокосимметричных направлений (рис. 2.6).
Греческие и латинские буквы соответствуют различным
симметричным точкам в зоне. Расчеты дают систему уров-
ней, образующих разрешенные зоны по оси энергии. В ди-
электриках валентная зона полностью заполнена, а зона
проводимости – пустая. Под действием света происходят
Рис. 2.5. Схема взаимодействия
излучения с твердым телом:
Е — ось энергий; Е — ширина запре-
щенной зоны; Д — переходы с уровней
дефектов; Э — экситоны; П — поглоще-
ние; ВЗ — валентная зона; ЗП—зона
проводимости; О— уровни остова; N —
приведенная плотность состояний; ○ —
электроны; ● — дырки
Использование СИ для исследования спектров твердых
тел позволило расширить спектральную область измере-
ний и систематически исследовать переходы из внутрен-
них состояний остова, плоских в пространстве квазиим-
пульса. Исследование таких переходов позволяет получить
дополнительную информацию о структуре зоны проводи-
мости. На схеме показаны также и переходы, связанные с
фотоэмиссией электронов.
Электронные возбуждения в твердом теле, как правило,
рассматриваются в одноэлектронном приближении [26]. В
рамках этого приближения элементарные возбуждения в
кристалле представляют собой возбужденные состояния
одного электрона, описываемые блоховской волновой
функцией, которая зависит от квазиимпульса электрона ћk.
В периодической решетке импульс ћk принимает значения
в пределах зоны Бриллюэна в пространстве квазиимпульса.
Теоретические зонные расчеты дают зависимость энергии
одноэлектронного состояния от импульса ћk. На рисунках
изображают зависимость E(k) не по всей зоне Бриллюэна,
а лишь вдоль высокосимметричных направлений (рис. 2.6).
Греческие и латинские буквы соответствуют различным
симметричным точкам в зоне. Расчеты дают систему уров-
ней, образующих разрешенные зоны по оси энергии. В ди-
электриках валентная зона полностью заполнена, а зона
проводимости – пустая. Под действием света происходят
- 77 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
