ВУЗ:
Составители:
- 76 -
Тем самым плазмоны становятся короткоживущими. В
большинстве диэлектриков максимум – Im 1/ε на частоте
ω
pl
имеет полуширину порядка нескольких электрон-вольт,
т. е. время жизни плазмона 10
-15
с. Только в металлах
плазмон является относительно долгоживущим возбужде-
нием, и именно там он наиболее достоверно определяется
через характеристические потери электронов.
2.4 Спектры твердых тел, зонная структура
Исследования в ВУФ и низкоэнергетической рентге-
новской областях дают очень важную информацию для
понимания электронной структуры твердого тела [6]. Су-
щественный прогресс в этой области стал возможен благо-
даря, с одной стороны, применению СИ, с другой – тео-
ретическим расчетам зонной структуры. Теоретический
расчет дает дисперсию энергии от волнового вектора и
приведенную плотность состояний в зависимости от энер-
гии. На рис. 2.5 показана упрощенная зонная схема твердо-
го тела с указанием переходов, вызванных взаимодействи-
ем излучения с твердым телом. Край фундаментального
поглощения кристалла связан с шириной запрещенной зо-
ны E
g
и вызван переходом электрона из валентной зоны в
зону проводимости. В запрещенной зоне показаны уровни,
связанные с примесями и собственными дефектами решет-
ки. На схеме показаны оптические переходы, определяю-
щие структуру поглощения кристалла, как фундаменталь-
ного, так и примесного.
Тем самым плазмоны становятся короткоживущими. В
большинстве диэлектриков максимум – Im 1/ε на частоте
ωpl имеет полуширину порядка нескольких электрон-вольт,
т. е. время жизни плазмона 10-15 с. Только в металлах
плазмон является относительно долгоживущим возбужде-
нием, и именно там он наиболее достоверно определяется
через характеристические потери электронов.
2.4 Спектры твердых тел, зонная структура
Исследования в ВУФ и низкоэнергетической рентге-
новской областях дают очень важную информацию для
понимания электронной структуры твердого тела [6]. Су-
щественный прогресс в этой области стал возможен благо-
даря, с одной стороны, применению СИ, с другой – тео-
ретическим расчетам зонной структуры. Теоретический
расчет дает дисперсию энергии от волнового вектора и
приведенную плотность состояний в зависимости от энер-
гии. На рис. 2.5 показана упрощенная зонная схема твердо-
го тела с указанием переходов, вызванных взаимодействи-
ем излучения с твердым телом. Край фундаментального
поглощения кристалла связан с шириной запрещенной зо-
ны Eg и вызван переходом электрона из валентной зоны в
зону проводимости. В запрещенной зоне показаны уровни,
связанные с примесями и собственными дефектами решет-
ки. На схеме показаны оптические переходы, определяю-
щие структуру поглощения кристалла, как фундаменталь-
ного, так и примесного.
- 76 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 75
- 76
- 77
- 78
- 79
- …
- следующая ›
- последняя »
