Методические указания к лабораторным работам по курсу общей физики (Электричество и магнетизм. Ч.2). Миловидова С.Д - 34 стр.

UptoLike

34
РАБОТА 8
ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Приборы и принадлежности: набор диодов, вольтметр, миллиамперметр,
шунт, выпрямитель с фильтром , реостат , переключатель полярности
напряжения (коммутатор ).
Краткая теория
Проводники имеют удельное сопротивление порядка 10
-7
Ом·м (и
меньше ), диэлектрики порядка 10
8
Ом·м (и больше ). Удельное
Сопротивление большинства веществ лежит между указанными пределами. Эта
вещества называются полупроводниками. Типичными их представителями
являются кремний , германий , селен , теллур и некоторые другие.
Как и у металлов проводимость твердых полупроводников обусловлена
перемещением электронов. Однако условия перемещения электронов в
металлах и полупроводниках существенно различны. Рассмотрим причины
электрофизических особенностей полупроводников, прибегая к некоторым
упрощенным представлениям зонной теории твердого тела.
Как известно, электроны свободного атома,
находящегося в свободном состоянии, имеют
определенные дискретные значения энергии (уровни
I и 2, рис.1а). Чем дальше удалена от ядра оболочка,
в которой находится движущийся вокруг ядра
электрон , тем выше уровень энергии последнего. В
изолированном атоме одинаковые значения энергии
могут иметь только два электрона или, как принято
говорить, на каждом из энергетических уровней
может находиться не более двух электронов
( уровень1, рис1.а). Электрон переходит с нижнего энергетического уровня на
более высокий , если ему сообщается энергия, равная разности энергий между
этими уровнями (уровень 2, рис.1а).
При образовании кристалла из N одинаковых атомов, расположенных друг от
друга на близких расстояниях , благодаря взаимному влиянию полей соседних
атомов каждый энергетический уровень атома расщепляется” на N различных
уровней , близких по величине энергии. На каждом из уровней кристалла также
может находиться по два электрона. Таким образом , в твердом теле из
одинаковых уровней энергии отдельных атомов образуется энергетическая
зона, имеющая N различных близко расположенных друг от друга уровней
(зона 3, рис.1б). Так как система (твердое тело) в устойчивом состоянии должна
обладать минимумом потенциальной энергии, то вся эта зона (и все уровни
энергий внутри ее) оказываются заполненными электронами. Эта зона носит
название заполненной зоны. Для твердого тела, кроме заполненной зоны,
выделяют зону уровней возбуждения или свободную зону (зона 5, рис.1 б),
разделенную энергетическим барьером для запрещенной зоны (зона 4, рис.1б).
В пределах этого барьера находятся уровни энергии, на которых не могут
находиться электроны.
Е (эн ергия)
1
5
4
3
2
а)
б)
Рис.1
                                                       34


                                                  Р А Б О ТА № 8
                   И С С Л Е Д О В А НИ Е ВО Л Ь Т А М П Е Р НЫ Х Х А Р А К Т Е Р И С Т И К
                                  П О Л У П Р О В О Д НИ К О ВЫ Х Д И О Д О В
                Приборы и прин ад ле жн ост и: н абор д иод ов, вольт ме т р, миллиампе рме т р,
        шун т , вы прямит е ль с ф ильт ром, ре ост ат , пе ре клю ч ат е ль полярн ост и
        н апряже н ия(коммут ат ор).
                                                К раткая те ория
                Провод н ики име ю т уд е льн ое сопрот ивлен ие поряд ка 10-7 Ом·                  м (и
                                                             8
        ме н ьше ), д иэле кт рики – поряд ка 10                   Ом·  м (и больше ). Уд е льн ое
        С опрот ивле н ие большин ст ва ве ще ст вле жит ме жд у указан н ы ми пре д е лами. Э т а
        ве ще ст ва н азы ваю т ся полупровод н иками. Типич н ы ми их пре д ст авит е лями
        являю т сякре мн ий , ге рман ий , се ле н , т е ллур и н е кот оры е д ругие .
                Как и у ме т аллов провод имост ь т ве рд ы х полупровод н иков обусловле н а
        пе ре ме ще н ие м      эле кт рон ов. Од н ако условия пе ре ме ще н ия эле кт рон ов в
        ме т аллах и полупровод н иках суще ст ве н н о различ н ы . Р ассмот рим прич ин ы
        эле кт роф изич е ских особе н н ост е й полупровод н иков, прибе гая к н е кот оры м
        упроще н н ы м пре д ст авлен иям зон н ой т е ории т ве рд огот е ла.
                                                 Как изве ст н о, эле кт рон ы свобод н ого ат ома,
                                          н аход яще гося в свобод н ом сост оян ии, име ю т
               2
                                    5 опре д е ле н н ы е д искре т н ы е зн ач е н ия эн е ргии (уровн и
                                          I и 2, рис.1а). Ч е м д альше уд але н а от яд ра оболоч ка,
Е (эн е ргия)




                                    4 в кот орой н аход ит ся д вижущий ся вокруг яд ра
                1            • •
             • •           •• • • 3 эле кт рон , т е м вы ше урове н ь эн е ргии послед н е го. В
                          • •             изолирован н ом ат оме од ин аковы е зн ач е н ия эн е ргии
                а)          б)            мо гут име т ь т олько д ва эле кт рон а или, как прин ят о
                                          говорит ь, н а кажд ом из эн е рге т ич е ских уровн е й
                      Р ис.1
                                          може т н аход ит ься н е боле е д вух эле кт рон ов
        (урове н ь1, рис1.а). Э ле кт рон пе ре ход ит с н ижн е го эн е рге т ич е ского уровн я н а
        боле е вы сокий , е сли е му сообщае т ся эн е ргия, равн ая разн ост и эн е ргий ме жд у
        эт ими уровн ями (урове н ь 2, рис.1а).
          При образован ии крист алла из N од ин аковы х ат омов, расположе н н ы х д руг от
        д руга н а близких расст оян иях, благод аря взаимн ому влиян ию поле й сосе д н их
        ат омов кажд ы й эн е рге т ич е ский урове н ь ат ома “расще пляе т ся” н а N различ н ы х
        уровн е й , близких пове лич ин е эн е ргии. Н а кажд ом из уровн е й крист алла т акже
        може т н аход ит ься по д ва эле кт рон а. Таким образом, в т ве рд ом т е ле из
        од ин аковы х уровн е й эн е ргии от д е льн ы х ат омов образуе т ся эн е рге т ич е ская
        зон а, име ю щая N различ н ы х близко расположен н ы х д руг от д руга уровн е й
        (зон а 3, рис.1б). Так как сист е ма (т ве рд ое т е ло) вуст ой ч ивом сост оян ии д олжн а
        облад ат ь мин имумом пот е н циальн ой эн е ргии, т о вся эт а зон а (и все уровн и
        эн е ргий вн ут ри е е ) оказы ваю т ся заполн е н н ы ми эле кт рон ами. Э т а зон а н осит
        н азван ие заполн е н н ой зон ы . Для т ве рд ого т е ла, кроме заполн е н н ой зон ы ,
        вы д е ляю т зон у уровн е й возбужд е н ия или свобод н ую зон у (зон а 5, рис.1 б),
        разд е ле н н ую эн е ргет ич е ским барье ром д ля запре ще н н ой зон ы (зон а 4, рис.1б).
        В пре д е лах эт ого барье ра н аход ят ся уровн и эн е ргии, н а кот оры х н е могут
        н аход ит ьсяэле кт рон ы .