Методические указания к лабораторным работам по курсу общей физики (Электричество и магнетизм. Ч.2). Миловидова С.Д - 35 стр.

UptoLike

35
Зона уровней возбуждения содержит уровни со значительно более
высокими энергиями, чем уровни заполненной зоны. В этой зоне уровни
энергии расположены близко друг к другу и практически можно считать, что
электрон , попавший в эту зону, может изменять свою энергию непрерывным
образом , а следовательно, перемещаться в кристалле под действием внешнего
электрического поля. Таким образом , при сообщении электронам заполненной
зоны дополнительной энергии, достаточной для перевода их через
энергетический барьер на уровни зоны возбуждения, твердые тела становятся
проводящими. Величина этой дополнительной энергии должна быть, по
крайней мере, равна ширине энергетического барьера. Следует отметить, что у
электронов, наиболее близко расположенных к ядру атома, связь с ядром столь
велика, что они не могут участвовать в создании электропроводности. Лишь
валентные электроны, наиболее удаленные от ядра, обладающие также
наибольшими энергиями, могут участвовать в токе проводимости.
У металлов заполненная и свободная зоны непосредственно примыкают
друг к другу , а в некоторых случаях эти зоны непосредственно примыкают
друг к другу , а в некоторых взаимно перекрываются. Поэтому электрон может
перейти из первой зоны во вторую , получив извне очень небольшую
добавочную энергию .
У диэлектриков ширина энергетического барьера соответствует энергиям
6-10 эВ и для перехода электрона из заполненной зоны в свободную зону
необходимы очень сильные электрические поля или высокие температуры .
Идеальные полупроводники, в материале которых нет примесей ,
характеризуются наличием энергетического барьера, наибольшая ширина
которого значительно меньше , чем у диэлектриков, и составляет 1-1,5 эВ.
Проводимость, создаваемая в химически чистом полупроводнике ,
называется собственной” проводимостью , так как является свойством
химически чистого вещества .
Все примесные полупроводники по характеру проводимости делятся на
два вида: n-типа и p-типа в зависимости от валентности примеси. Рассмотрим
два примера.
Пусть в кристалле германия имеется в виде примеси атом сурьмы . Атом
германия четырехвалентен и имеет на внешней электронной оболочке четыре
электрона. Валентность сурьмы равна пяти. Поэтому замена атома германия
атомом сурьмы приводит к появлению избыточного
электрона. Таким образом , атомы сурьмы добавляют в
решетку германия избыточные электроны.
Полупроводники, проводимость которых обусловлена
избыточными электронами, называются
полупроводниками n-типа.
Примесные атомы с валентностью , превышающей
валентность атомов решетки, называются донорными
(донорами). С точки зрения зонной теории,
энергетические уровни валентных электронов таких
примесей лежат в запрещенной зоне вблизи нижнего
края зоны проводимости (пунктирный уровень рис.2а).
а)
Рис.2
б)
Е (эн ергия)
Е (эн ергия)
                                                        35
                Зон а уровн е й            возбужд е н ия сод е ржит уровн и созн ач ит е льн оболе е
        вы сокими эн е ргиями, ч е м уровн и заполн е н н ой зон ы . В эт ой зон е уровн и
        эн е ргии расположе н ы близко д руг к д ругу и практ ич е ски можн осч ит ат ь, ч т о
        эле кт рон , попавший в эт у зон у, може т изме н ят ь свою эн е ргию н епре ры вн ы м
        образом, а сле д оват е льн о, пе ре ме щат ься в крист алле под д е й ст вие м вн е шн е го
        эле кт рич е скогополя. Таким образом, при сообще н ии эле кт рон ам заполн е н н ой
        зон ы д ополн ит е льн ой эн е ргии, д ост ат оч н ой д ля пе ре вод а их ч е рез
        эн е рге т ич е ский барье р н а уровн и зон ы возбужд е н ия, т ве рд ы е т ела ст ан овят ся
        провод ящими. Ве лич ин а эт ой д ополн ит е льн ой эн е ргии д олжн а бы т ь, по
        край н е й ме ре , равн а ширин е эн е рге т ич е скогобарье ра. С ле д уе т от ме т ит ь, ч т оу
        эле кт рон ов, н аиболе е близкорасположе н н ы х к яд ру ат ома, связь с яд ром ст оль
        ве лика, ч т о он и н е могут уч аст воват ь в созд ан ии эле кт ропровод н ост и. Л ишь
        вале н т н ы е эле кт рон ы , н аиболе е уд але н н ы е от яд ра, облад аю щие т акже
        н аибольшими эн е ргиями, могут уч аст воват ь вт оке провод имост и.
                У ме т аллов заполн е н н ая и свобод н ая зон ы н е посре д ст ве н н о примы каю т
        д руг к д ругу, а в н е кот оры х случ аях эт и зон ы н е посре д ст ве н н о примы каю т
        д руг к д ругу, а – вн е кот оры х взаимн опе ре кры ваю т ся. Поэт ому эле кт рон може т
        пе ре й т и из пе рвой зон ы во вт орую , получ ив извн е оч е н ь н е большую
        д обавоч н ую эн е ргию .
                У д иэле кт риков ширин а эн е рге т ич е скогобарье ра соот ве т ст вуе т эн е ргиям
        6-10 эВ и д ля пе ре ход а эле кт рон а из заполн е н н ой зон ы в свобод н ую зон у
        н е обход имы оч ен ь сильн ы е эле кт рич е ские поляили вы сокие т е мпе рат уры .
                И д е альн ы е полупровод н ики, в мат е риале кот оры х н е т приме се й ,
        характ е ризую т ся н алич ие м эн е рге т ич е ского барье ра, н аибольшая ширин а
        кот орогозн ач ит е льн оме н ьше , ч е м у д иэле кт риков, и сост авляе т 1-1,5 эВ.
                Провод имост ь, созд авае мая в химич е ски ч ист ом полупровод н ике ,
        н азы вае т ся “собст ве н н ой ”        провод имост ью , т ак как являе т ся свой ст вом
        химич е ски ч ист огове ще ст ва.
                Все приме сн ы е полупровод н ики по характ е ру провод имост и д елят ся н а
        д ва вид а: n-т ипа и p-т ипа в зависимост и от вале н т н ост и приме си. Р ассмот рим
        д ва приме ра.
                Пуст ь в крист алле ге рман ия име е т ся в вид е приме си ат ом сурьмы . Ат ом
        ге рман ия ч е т ы ре хвале н т е н и име е т н а вн е шн е й эле кт рон н ой оболоч ке ч е т ы ре
        эле кт рон а. Вален т н ост ь сурьмы равн а пят и. Поэт ому заме н а ат ома герман ия
                                      ат омом сурьмы привод ит к появле н ию избы т оч н ого
                                      эле кт рон а. Таким образом, ат омы сурьмы д обавляю т в
                                      ре ше т ку        ге рман ия      избы т оч н ы е       эле кт рон ы .
                                      Полупровод н ики, провод имост ь кот оры х обусловле н а
Е (эн е ргия)




                      Е (эн е ргия)




                                      избы т оч н ы ми                эле кт рон ами,        н азы ваю т ся
                                      полупровод н иками n-т ипа.
                                              Приме сн ы е ат омы с вале н т н ост ью , пре вы шаю ще й
                а)            б)      вале н т н ост ь ат омов ре ше т ки, н азы ваю т ся д он орн ы ми
                                      (д он орами). С т оч ки зре н ия                зон н ой т е ории,
                   Р ис.2             эн е рге т ич е ские уровн и вале н т н ы х эле кт рон ов т аких
                                      приме се й ле жат в запре ще н н ой зон е вблизи н ижн е го
        краязон ы провод имост и (пун кт ирн ы й урове н ь рис.2а).