Организация микропроцессорных систем. Учебное пособие. Могнонов П.Б. - 77 стр.

логической единице; SR - при переходе из низкого логического уровня в высокий фиксирует
выбранный адрес при логическом нуле на выводе Т0; DВ0 ... DВ7 - обеспечивают подачу
адреса А0 ... A7 и выдачу данных; Р20 - Р22 - обеспечивают подачу адреса А8, А9 (А10 для
КР1816ВЕ49) .
       Для работы ОМЭВМ в режиме проверки внутренней памяти программ требуется
внутренняя синхронизация, т.е. к выводам ОМЭВМ ВQ1, ВQ2 должны быть подключены
внешние элементы внутреннего генератора или поданы внешние синхроимпульсы.
       Выводы ОМЭВМ ЕМА, SR , Р20, Р21 являются входами; вывод ALE - выход. Шина
DВ0 ... DВ7 может работать в режиме входного порта, на который подают восемь младших
разрядов адреса А0 ... А7 выбираемой ячейки ПЗУ, или в режиме выходного порта, с
которого считывают байт информации, записанной в выбранной ячейке ПЗУ. Управление
при этом производится сигналом SR : если ЕМА= “1”, то при SR ="0" шина DВ0 ... DВ7
переходит в высокоимпедансное состояние и работает как входной порт, а при SR ="1" шина
DB0 ... DВ7 с некоторой задержкой, переводится в режим выходного порта. На входы
ОМЭВМ Р20, Р21 подают два старших разряда адреса А8, А9 выбираемой ячейки ПЗУ.
       Если нарастающим фронтом сигнала АLЕ стробируется низкий уровень сигнала SR ,
то по спаду АLЕ шина DВ0 ... DВ7 уже гарантировано находится в высоко-импедансном
состоянии и допустима подача адреса. Адрес с шины DВ0 ... DВ7 лучше всего убирать
одновременно с переходом сигнала SR с низкого на высокий логический уровень.
       При организации режима контроля памяти следует иметь в виду, что: по выводам
DВ0 ... DВ7 осуществляется подача сигналов адреса и выдача данных для контроля. Поэтому
при переходе к режиму контроля необходимо обеспечить высокоимпедансное состояние на
выводах DВ0 ... DВ7, которое исключает попадание на открытые выводы схемы напряжения
адресных сигналов, поступающих от источника адресных сигналов. При проверке "чистоты"
памяти выходное напряжение на выводах DВ0 ... DВ7 должно соответствовать напряжению
низкого уровня.

                   Режим работы с внутренней памятью программ

       Режим работы с внутренней памятью программ устанавливается при подключении
вывода ЕМА к выводу GND. Выполнение программы начинается с команды по адресу 00
после сброса. При работе с внутренней памятью программ никакие внешние управляющие
сигналы, за исключением АLЕ, ОМЭВМ не формируются. Если микросхема имеет
внутреннюю память программ и вывод ЕМА подключен к выводу GND, то обращения к этой
памяти выполняются автоматически до тех пор, пока адрес обращения не превышает
максимальный адрес внутренней памяти программ микросхемы. Если адрес обращения
превышает максимальный адрес внутренней памяти программ, то ОМЭВМ автоматически
переходит в режим работы с внешней памятью программ. С целью увеличения
производительности ОМЭВМ предусмотрено совмещение выполнения внутренних операций
в цикле. Например, выполнение выбранной из памяти команды и подготовка следующего
адреса команды производятся одновременно. Для синхронизации внешних устройств ввода-
вывода можно использовать сигнал АLЕ, выдаваемый ОМЭВМ в каждом машинном цикле.

                          Режим работы с внешней памятью

       Наряду с наличием возможности работы ОМЭВМ с внешней памятью программ в
качестве дополнения к внутренней памяти, имеется режим работы исключительно с
внешней памятью программ, который обеспечивается путем подачи напряжения от
источника +5 В на вывод ЕМА. Для микросхем КР1816ВЕ35, КР1816ВЕ39, КР1830ВЕ35, не
имеющих внутренней памяти программ, этот режим является единственно возможным, и для