ВУЗ:
Составители:
этих микросхем вывод ЕМА всегда должен быть подключен к +5В. Для микросхем
КМ1816ВЕ48, КР1816ВЕ49, КР1830ВЕ48 в этом режиме внутренняя память программ
отключается и, начиная с нулевого адреса, все обращения выполняются к внешней памяти
программ.
Временная диаграмма работы ОМЭВМ с внешней памятью программ показана на
рис.4.12. Заштрихованные участки временной диаграммы указывают интервалы, в которых
шина DВ находится в высокоимпедансном состоянии.
Содержимое двенадцати разрядов счетчика команд выводится в качестве адреса
обращения к внешнему ЗУ команд на шину данных DВ0 ... DВ7 (разряды 0 ... 7 счетчика
команд) и на выводы Р20 ... Р23 порта Р2 (разряды 8 ... 11 счетчика команд), адрес внешнего
ЗУ фиксируется по окончании сигнала ALE; шина данных переходит в режим ввода и
процессор принимает 8-разрядное слово команды, выборка команды из внешнего ЗУ
фиксируется по окончании сигнала РМЕ. После окончания времени действия адреса на
выводах Р2 (0 - 3) выставляется информация, находящаяся в соответствующих защелках
порта Р2, которая будет находиться на выводах порта Р2 до следующего обращения к памяти
программ (до следующей выдачи адреса).
DB
(
0-7
)
PM E
Коман
д
а
P 2(0 -3)
Данные порта
Адрес
Адрес
ALE
Рис.4.12. Временные диаграммы работы микросхем с внешней памятью программ
В ОМЭВМ используется механизм переключения банков памяти программ по 2К6айт
каждый. Выбор банка определяется содержимым старшего разряда счетчика команд,
который загружается содержимым триггера переключения банка памяти DВF каждый раз
при выполнении команды перехода JМР или САLL при вызове подпрограммы. При
инкрементировании содержимого счетчика команд в старший разряд переноса нет.
Триггер DВF может устанавливаться в "1" (выбор банка 1 - ячейки с адресами 2048 ...
4097) с помощью команды SЕL МВ1 и сбрасывается в "0" (выбора банка 0 - ячейки с адресом
0 ... 2047) по команде SЕL МВ0 или по сигналу общего сброcа
SR
.
Выбор банка 0 по команде SЕL МВ0 или по сигналу
SR
позволяет обращаться к
ячейкам 0 ... 2047 исключительно внешней памяти программ, если вход ЕМA подключен к
источнику +5В.
Команда SЕL МВ должна выполняться в программе перед тем, когда возникает
необходимость переключения банков памяти программ. Собственно переключение
осуществляется при выполнении очередной команды перехода или вызова подпрограмм.
Поскольку при выполнении команды САLL все двенадцать разрядов СК, включая старший,
запоминаются в стеке, пользователь может переходить к подпрограмме, расположенной за
пределами текущего банка памяти программ. После окончания подпрограммы номер банка
памяти, из которого она была вызвана, будет восстановлен командой возврата из
подпрограммы. Следует помнить, что состояние триггера DВF не изменяется командой
возврата.
этих микросхем вывод ЕМА всегда должен быть подключен к +5В. Для микросхем КМ1816ВЕ48, КР1816ВЕ49, КР1830ВЕ48 в этом режиме внутренняя память программ отключается и, начиная с нулевого адреса, все обращения выполняются к внешней памяти программ. Временная диаграмма работы ОМЭВМ с внешней памятью программ показана на рис.4.12. Заштрихованные участки временной диаграммы указывают интервалы, в которых шина DВ находится в высокоимпедансном состоянии. Содержимое двенадцати разрядов счетчика команд выводится в качестве адреса обращения к внешнему ЗУ команд на шину данных DВ0 ... DВ7 (разряды 0 ... 7 счетчика команд) и на выводы Р20 ... Р23 порта Р2 (разряды 8 ... 11 счетчика команд), адрес внешнего ЗУ фиксируется по окончании сигнала ALE; шина данных переходит в режим ввода и процессор принимает 8-разрядное слово команды, выборка команды из внешнего ЗУ фиксируется по окончании сигнала РМЕ. После окончания времени действия адреса на выводах Р2 (0 - 3) выставляется информация, находящаяся в соответствующих защелках порта Р2, которая будет находиться на выводах порта Р2 до следующего обращения к памяти программ (до следующей выдачи адреса). A LE PM E D B (0 -7 ) А д р ес К ом ан да P 2 (0 -3 ) А д р ес Д ан ны е п орта Рис.4.12. Временные диаграммы работы микросхем с внешней памятью программ В ОМЭВМ используется механизм переключения банков памяти программ по 2К6айт каждый. Выбор банка определяется содержимым старшего разряда счетчика команд, который загружается содержимым триггера переключения банка памяти DВF каждый раз при выполнении команды перехода JМР или САLL при вызове подпрограммы. При инкрементировании содержимого счетчика команд в старший разряд переноса нет. Триггер DВF может устанавливаться в "1" (выбор банка 1 - ячейки с адресами 2048 ... 4097) с помощью команды SЕL МВ1 и сбрасывается в "0" (выбора банка 0 - ячейки с адресом 0 ... 2047) по команде SЕL МВ0 или по сигналу общего сброcа SR . Выбор банка 0 по команде SЕL МВ0 или по сигналу SR позволяет обращаться к ячейкам 0 ... 2047 исключительно внешней памяти программ, если вход ЕМA подключен к источнику +5В. Команда SЕL МВ должна выполняться в программе перед тем, когда возникает необходимость переключения банков памяти программ. Собственно переключение осуществляется при выполнении очередной команды перехода или вызова подпрограмм. Поскольку при выполнении команды САLL все двенадцать разрядов СК, включая старший, запоминаются в стеке, пользователь может переходить к подпрограмме, расположенной за пределами текущего банка памяти программ. После окончания подпрограммы номер банка памяти, из которого она была вызвана, будет восстановлен командой возврата из подпрограммы. Следует помнить, что состояние триггера DВF не изменяется командой возврата.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »