Организация микропроцессорных систем. Учебное пособие. Могнонов П.Б. - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

DB
(
0-7
)
DB(0-7)
Адрес
d
ВХ
А LE
RD
a )
А LE
Ад
р
ес
d
ВЫ Х
б )
WR
Рис.4.14. Временные диаграммы работы с внешней памятью данных: а - чтение; б - запись
Выходной строб управления считыванием
R
D или записью
WR
на соответствующих
выводах ОМЭВМ показывает, какой тип доступа к памяти имеет место. Выводимые данные
должны быть зафиксированы в момент прохождения заднего фронта
WR , а вводимые в
момент прохождения заднего фронта
R
D .
Входные и выходные данные обозначены на диаграммах на рис.4.14 соответственно
dвх и dвых. Заштрихованные участки временной диаграммы указывают интервалы, в
которых шина DВ находится в высокоимпедансном состоянии.
Доступ к внешней памяти данных осуществляется специальными командами
пересылки МОVХ А,@R и МОVХ @R,А, с помощью кoторых происходит передача 8-
разрядных данных между аккумулятором и ячейкой внешней памяти, адресуемой
содержимым одного из двух регистров указателей R0 или R1.
На рис.4.15 приведена схема подключения внешней памяти данных использованием
двух ИС статического запоминающего устройства произвольной выборки (ЗУПВ) с
организацией 256*4.
DB0 - DB7
ALE
ОМЭВМ
RD
WR
D1 - D8
STB
Q1 - Q8
RG
I/O 1-4
CS1
A0- A7
CS2
ЗУПВ
256 x 4
O D R/W
I/O 1-4
CS1
A0-A7
ЗУПВ CS2
256 x 4
O D R/W
4 4
8
Pис.4.15. Схема подключения внешней памяти 
                                                 a )

                   А L E

                  R D




                D B (0 -7 )

                                    А д р е с                d    В Х




                                                 б )


                   А L E

                  W R



                D B (0 -7 )
                                    А д р ес             d       В Ы Х




 Рис.4.14. Временные диаграммы работы с внешней памятью данных: а - чтение; б - запись

Выходной строб управления считыванием RD или записью WR на соответствующих
выводах ОМЭВМ показывает, какой тип доступа к памяти имеет место. Выводимые данные
должны быть зафиксированы в момент прохождения заднего фронта WR , а вводимые в
момент прохождения заднего фронта RD .
      Входные и выходные данные обозначены на диаграммах на рис.4.14 соответственно
dвх и dвых. Заштрихованные участки временной диаграммы указывают интервалы, в
которых шина DВ находится в высокоимпедансном состоянии.
      Доступ к внешней памяти данных осуществляется специальными командами
пересылки МОVХ А,@R и МОVХ @R,А, с помощью кoторых происходит передача 8-
разрядных данных между аккумулятором и ячейкой внешней памяти, адресуемой
содержимым одного из двух регистров указателей R0 или R1.
      На рис.4.15 приведена схема подключения внешней памяти данных использованием
двух ИС статического запоминающего устройства произвольной выборки (ЗУПВ) с
организацией 256*4.
                                           8
               DB0-DB7
                                                         4                       4
                                  D1 - D8         I/O 1-4                  I/O 1-4
                  ALE           STB                     CS1                       CS1
                                      Q1-Q8     A0-A7                    A0-A7
               ОМЭВМ                                                              CS2
                                                ЗУПВ CS2
                                   RG                                       ЗУПВ
                                                 256 x 4
                                                                            256 x 4
                                                OD R/W                   OD R/W



                   RD

                  WR
                           Pис.4.15. Схема подключения внешней памяти

Страницы