ВУЗ:
Составители:
Регистр RG используется для фиксации адреса. Каждая 4-разрядная половина шины
данных DВ непосредственно подключаетcя к двунаправленной 4-разрядной шине данных
ввода-вывода внешнего ЗУПВ.
Выходной сигнал ОМЭВМ
WR
управляет входом R/W ЗУПВ, а выходные драйверы
шины данных ЗУПВ управляются по входу ОD сигналом
R
D
. Если не требуется
использования дополнительного ЗУПВ, вход СS (выбор кристалла) ЗУПВ присоединяется к
общему выводу GND.
На рис.4.16 показан возможный вариант расширения памяти данных с
использованием ЗУПВ с организацией 256*8. Предполагается, что используемая микросхема
ЗУПВ имеет внутреннюю защелку адреса (регистр RG на рис.4.15.).
8
AD0-AD7
ALE
З У П В
WR 256 х 8
RD
DB0-DB7
ALE
ОМЭВМ
WR
RD
Рис.4.16. Расширение памяти данных с использованием одной микросхемы ЗУПВ
Расширение канала ввода-вывода
Шина данных ОМЭВМ совместима с 8-разрядной двунаправленной шиной
микропроцессора КР580ВМ80А, что обеспечивает возможность подключения к ОМЭВМ
периферийных устройств в виде микросхем серии КР580 которые можно использовать для
реализации ряда дополнительных специальных функций, а также для увеличения числа
каналов ввода-вывода и их типов.
На рис.4.17, 4.18 показано соединение ОМЭВМ к стандартному периферийному
устройству серии КР580 - ИС КР580ВВ55А. Интегральная схема КР580ВВ55А обеспечивает
три 8-разрядных программируемых канала ввода-вывода (РА, PВ, РС).
Для связи ОМЭВМ с ИС КР530ВВ55А в последней используются 8-разрядная
двунаправленная шина данных D0 - D7, входы
R
D
и
WR
для управления чтением-записью,
вход "выбор кристалла" (-CS) для активизации логики управления чтением-записью и
адресные входы А0, А1 для выбора различных внутренних регистров.
Выводы ОМЭВМ DВ,
R
D
,
WR
соединяются с соответствующими выводами ИС
КР58СВВ55А. При реализации этой схемы выбирается способ, с помощью которого должны
адресоваться внутренние регистры ИС КР580ВВ55А.
Если регистры адресуются как внешняя память данных с использованием команды
МОVХ, соответствующее число разрядов адреса (в данном случае 2) должно фиксироваться
на шине с помощью сигнала АLЕ так же, как и при использовании внешней памяти данных
(рис.4.17).
Если к шине данных ОМЭВМ подсоединяется только одно устройство ИС
КР580ВВ55А, вход ИС CS заземляется.
Если используется несколько ИС КР580ВВ55А, должны фиксироваться
дополнительные разряды адреса, которые используются для выбора конкретной
микросхемы.
Возможно, применение другого способа адресации, при котором исключается
необходимость во внешних схемах фиксации адреса и дешифраторах выбора кристалла
благодаря использованию выходных линий портов ОМЭВМ непосредственно в качестве
линий адресации и выбора микросхемы. При этом способе требуется вывод на выходной
Регистр RG используется для фиксации адреса. Каждая 4-разрядная половина шины данных DВ непосредственно подключаетcя к двунаправленной 4-разрядной шине данных ввода-вывода внешнего ЗУПВ. Выходной сигнал ОМЭВМ WR управляет входом R/W ЗУПВ, а выходные драйверы шины данных ЗУПВ управляются по входу ОD сигналом RD . Если не требуется использования дополнительного ЗУПВ, вход СS (выбор кристалла) ЗУПВ присоединяется к общему выводу GND. На рис.4.16 показан возможный вариант расширения памяти данных с использованием ЗУПВ с организацией 256*8. Предполагается, что используемая микросхема ЗУПВ имеет внутреннюю защелку адреса (регистр RG на рис.4.15.). 8 DB0-DB7 AD0-AD7 ALE ALE ОМЭВМ ЗУПВ WR WR 256 х 8 RD RD Рис.4.16. Расширение памяти данных с использованием одной микросхемы ЗУПВ Расширение канала ввода-вывода Шина данных ОМЭВМ совместима с 8-разрядной двунаправленной шиной микропроцессора КР580ВМ80А, что обеспечивает возможность подключения к ОМЭВМ периферийных устройств в виде микросхем серии КР580 которые можно использовать для реализации ряда дополнительных специальных функций, а также для увеличения числа каналов ввода-вывода и их типов. На рис.4.17, 4.18 показано соединение ОМЭВМ к стандартному периферийному устройству серии КР580 - ИС КР580ВВ55А. Интегральная схема КР580ВВ55А обеспечивает три 8-разрядных программируемых канала ввода-вывода (РА, PВ, РС). Для связи ОМЭВМ с ИС КР530ВВ55А в последней используются 8-разрядная двунаправленная шина данных D0 - D7, входы RD и WR для управления чтением-записью, вход "выбор кристалла" (-CS) для активизации логики управления чтением-записью и адресные входы А0, А1 для выбора различных внутренних регистров. Выводы ОМЭВМ DВ, RD , WR соединяются с соответствующими выводами ИС КР58СВВ55А. При реализации этой схемы выбирается способ, с помощью которого должны адресоваться внутренние регистры ИС КР580ВВ55А. Если регистры адресуются как внешняя память данных с использованием команды МОVХ, соответствующее число разрядов адреса (в данном случае 2) должно фиксироваться на шине с помощью сигнала АLЕ так же, как и при использовании внешней памяти данных (рис.4.17). Если к шине данных ОМЭВМ подсоединяется только одно устройство ИС КР580ВВ55А, вход ИС CS заземляется. Если используется несколько ИС КР580ВВ55А, должны фиксироваться дополнительные разряды адреса, которые используются для выбора конкретной микросхемы. Возможно, применение другого способа адресации, при котором исключается необходимость во внешних схемах фиксации адреса и дешифраторах выбора кристалла благодаря использованию выходных линий портов ОМЭВМ непосредственно в качестве линий адресации и выбора микросхемы. При этом способе требуется вывод на выходной
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 79
- 80
- 81
- 82
- 83
- …
- следующая ›
- последняя »