Кристаллооптические явления и их моделирование в диапазоне сверхвысоких частот. Молотков Н.Я - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Следовательно, для обыкновенной волны, распространяющейся перпендикулярно главной оси
структуры, ее эффективная диэлектрическая проницаемость равна
21
2211
dd
dd
E
D
x
+
ε+ε
==ε
. (5.4)
Если толщина листов органичного стекла равна величине воздушных зазоров (d
1
= d
2
), то согласно
(5.4) имеем
2
21
ε+ε
=ε
x
. (5.5)
Так как электромагнитные свойства слоистой структуры одинаковы вдоль осей x и y, то
2
21
ε+ε
=ε=ε
xy
. (5.6)
Для обыкновенной волны, вектор
o
E которой всегда перпендикулярен к главной оси структуры не-
зависимо от направления ее распространения, должны выполняться указанные граничные условия (не-
прерывность тангенциальной составляющей вектора E ), а, следовательно, для обыкновенной волны эк-
вивалентный показатель преломления слоистой структуры всегда равен
21
2
211
dd
dd
n
xo
+
ε+ε
=µε=
, (5.7)
при
1=µ
или при d
1
= d
2
имеем
2
21
ε+ε
=ε=
xo
n . (5.8)
2 Предположим, что вдоль листов слоистой структуры распространяется необыкновенная волна,
электрический вектор
e
E которой параллелен главной оси z структуры (рис. 12). Учитывая, что нор-
мальная составляющая вектора электрического смещения
D
должна оставаться непрерывной при пере-
сечении границ раздела сред, вектор смещения
D должен быть одинаковым как внутри лент, так и в
промежутках между ними, т.е.
1
1
ε
=
D
E
;
2
2
ε
=
D
E
. Среднее значение напряженности поля, полученное ус-
реднением по всему объему слоистой структуры, равно
D
dd
dd
dd
EdEd
E
e
21
2
2
1
1
21
2211
+
ε
+
ε
=
+
+
=
. (5.9)
В данном случае эффективная диэлектрическая проницаемость слоистой структуры равна
1221
2121
2
2
1
1
21
)(
ε+ε
+εε
=
ε
+
ε
+
==ε
dd
dd
dd
dd
E
D
z
. (5.10)
При
21
dd = получим
21
21
2
ε+ε
εε
=ε
z
. (5.11)
Таким образом, для необыкновенной волны, которая распространяется перпендикулярно к
главной оси слоистой структуры, эквивалентный показатель преломления равен

Страницы