Основы проектирования электронных средств. Часть 1. Муромцев Д.Ю - 68 стр.

UptoLike

Составители: 

68
терный переход при заданном обратном напряжении между эмиттером
и базой при отключённом коллекторе и другие параметры).
2. Малосигнальные параметры, характеризующие работу транзи-
стора при воздействии сигнала, возрастание амплитуды которого в
1,5 раза приводит к незначительному изменению параметра (малый
сигнал). Сюда относят такие параметры, как входное сопротивление
транзистора при короткозамкнутом выходе (
11
h
), коэффициент пере-
дачи тока при включении транзистора с общим эмиттером (
21э
h
) и др.
3. Высокочастотные параметры, характеризующие работу тран-
зистора на высоких частотах (граничная частота
гр
f
, ёмкость коллек-
торного перехода
к
С
, коэффициент шума
ш
K
и другие параметры).
4. Параметры большого сигнала, характеризующие работу тран-
зистора при изменении токов и напряжений в широких пределах.
К ним относят статический коэффициент передачи тока и статическую
крутизну прямой передачи.
5. Тепловые параметры, характеризующие устойчивость транзи-
сторов при работе в широком диапазоне температур и определяющие
связь между рассеиваемой прибором электрической мощностью и
температурой его перехода. Основными тепловыми параметрами яв-
ляются максимальная
макс
T
и минимальная
мин
T
температуры перехо-
да. Так, для германия
макс
T
составляет 80…100 °С, а для кремния
150…200 °С.
6. Вольтамперные входные и выходные характеристики, содер-
жащие информацию о свойствах транзистора во всех режимах его ра-
боты при больших и малых сигналах. По вольтамперным характери-
стикам можно определять ряд параметров, в том числе не приводимых
в справочных таблицах, а также рассчитать цепи смещения, стабили-
зации режима, оценить работу транзистора в широком диапазоне по-
стоянных и импульсных токов, мощностей и напряжений.
Для полевых транзисторов существует ряд специфических пара-
метров, к основным из которых относят следующие.
1. Начальный ток стока
C
нна
I
ток, протекающий через сток при
нулевом напряжении между затвором и истоком, и напряжении на сто-
ке, равном или превышающем напряжение насыщения.
2. Напряжение отсечки
отс
U
напряжение между затвором и ис-
током транзистора, работающего в режиме обеднения, при котором
ток стока достигает заданного низкого значения.