ВУЗ:
Составители:
69
3. Остаточный ток стока
Cоос
I
– ток, протекающий через сток
при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряже-
ние отсечки.
4. Ток утечки затвора
Зут
I
– ток, протекающий через затвор при
заданном напряжении между затвором и остальными выводами, ко-
роткозамкнутыми между собой.
5. Крутизна характеристик полевого транзистора
S
– отношение
изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при корот-
ком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с
общим истоком.
6. Входная ёмкость полевого транзистора
вх
C
– ёмкость между
затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на
выходе в схеме с общим истоком.
7. Выходная ёмкость полевого транзистора
вых
C
– ёмкость меж-
ду стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на
входе в схеме с общим истоком.
Частотные и тепловые параметры, шумовые свойства полевых
транзисторов определяются по аналогии с биполярными транзисторами.
Зависимость параметров транзисторов от температуры, режима
работы и частоты, а также наличие технологического разброса пара-
метров накладывают специфические требования на принципы по-
строения транзисторных схем, обеспечивающих высокую надёжность
в эксплуатационных условиях.
Выбор типа транзистора определяется характером электриче-
ской схемы, требованиями к её выходным параметрам и эксплуатаци-
онным режимам. Следует помнить, что кремниевые транзисторы по
сравнению с германиевыми лучше работают при высоких температу-
рах (вплоть до +125 °С), но их коэффициент передачи по току сильно
уменьшается при низких температурах. В области малых токов крем-
ниевые транзисторы имеют более резкую зависимость параметров от
тока эмиттера. Не следует применять высокочастотные транзисторы в
низкочастотных каскадах, поскольку они склонны к самовозбужде-
нию. Не рекомендуется применять мощные транзисторы в тех случаях,
когда можно использовать маломощные, так как при работе мощных
транзисторов на малых токах коэффициент передачи по току сильно
зависит как от тока, так и от температуры окружающей среды.
Выбор режима работы транзистора определяет его надёжность
и долговечность. Не допускается превышение максимально допусти-
мых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- …
- следующая ›
- последняя »
