Основы проектирования электронных средств. Часть 1. Муромцев Д.Ю - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

71
4.3. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Интегральные микросхемы являются самостоятельными сбороч-
ными единицами, т.е. представляют собой законченные комплексные
электронные устройства. При этом одна ИМС содержит большое коли-
чество активных микроминиатюрных элементов, количество которых
может составлять от нескольких десятков до сотен тысяч и даже мил-
лионов единиц. Сложность микросхемы определяется степенью инте-
грации и выражается формулой
NK lg=
, где
K
– коэффициент, опре-
деляющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большого
целого числа;
N
– число входящих в микросхему элементов.
Так, микросхему, содержащую до 10 элементов, называют ИМС
первой степени интеграции, содержащую от 11 до 100 элементов –
второй степени интеграции, содержащую от 101 до 1000 элементов –
ИМС третьей степени интеграции и т.д. Иногда используются и другие
определения. Например, ИМС, в которой более 150…200 элементов,
называется большой интегральной схемой (БИС), а имеющая более
1000 элементов – сверхбольшой интегральной схемой (СБИС).
Интегральные микросхемы классифицируются по ряду признаков.
1. По способу преобразования сигнала выделяют аналоговые,
цифровые и аналого-цифровые ИМС. Типичным примером аналого-
вых микросхем являются операционные усилители, линейные инте-
гральные стабилизаторы напряжения и ряд специализированных мик-
росхем – все они оперируют с непрерывным (или плавно изменяю-
щимся) сигналом. К цифровым ИМС относят логические микросхемы,
счётчики, мультиплексоры и др. Аналого-цифровые микросхемы со-
держат элементы аналоговых и цифровых ИМС. Типичными предста-
вителями аналого-цифровых микросхем являются цифроаналоговые
(ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преобразователи.
2. По технологии изготовления различают полупроводниковые,
плёночные, гибридные ИМС и микросборки. Полупроводниковыми
называют ИМС, все элементы и внутренние соединения которой вы-
полнены в объёме и на поверхности полупроводникового кристалла.
Плёночная ИМС – это микросхема, все элементы и внутренние соеди-
нения которой выполнены в виде плёнок. Выделяют толсто- и тонко-
плёночные ИМС. Толстоплёночная ИМС представляет собой микро-
схему, в которой все пассивные элементы, проводники и контактные
площадки выполнены по толстоплёночной технологии на диэлектри-
ческом основании. Толстоплёночная технология заключается в обра-
зовании плёнок толщиной от 1…2 до 10…25 микрон путём вжигания

Страницы