ВУЗ:
Составители:
ных условиях (в зависимости от скорости охлаждения). При плавлении –
∆
T перегрева, как
правило, не более нескольких градусов.
Рис. 2. Термические кривые охлаждения при кристаллизации чистых металлов
с разной скоростью (v
1
– v
3
)
Процесс кристаллизации начинается с образования кристаллических зародышей (цен
тров кристаллизации) и продолжается в процессе роста их числа и размеров.
При переохлаждении сплава ниже T
пл
плавления во многих участках жидкого сплава об6
разуются устойчивые, способные к росту кристаллические зародыши, называемые критиче
скими.
Образование зародышевых центров. В жидком металле сохраняется так называемый
ближний порядок, когда упорядоченное расположение атомов распространяется на очень не6
большое расстояние. Вследствие интенсивного теплового движения атомов ближний поря6
док динамически неустойчив. При температурах, близких к температуре плавления, в жид6
ком металле возможно образование небольших группировок, в которых атомы расположены
так же, как и в кристаллах.
Такие группировки атомов называются фазовыми (или гетерогенными) флуктуациями.
В чистом от примесей жидком металле наиболее крупные гетерофазные флуктуации могут
превратиться в зародыши (центры кристаллизации). Рост зародыша возможен только при
условии, если он достиг определенной величины, начиная с которой его рост ведет к умень6
шению свободной энергии.
Минимальный размер зародыша, способный к росту при данных температурных усло
виях, называется критическим размером зародыша.
Образованию зародыша способствует неравномерное распределение энергии между ато6
мами вещества. Эти случайные и временные отклонения энергии отдельных атомов или
группировок атомов от среднего значения для данной температуры называют флуктуациями
энергии. Эти флуктуации способствуют получению энергии, требуемой для образования за6
родыша критического размера. Зародыш, способный к росту, образуется там, где гетеро
генные флуктуации в жидком металле размером не меньше критического обладают повы
шенной энергией, которая не меньше определенного уровня.
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохла6
жденной жидкости к кристаллам.
Кристалл растет в результате:
• образования двухмерного зародыша (т.е. зародыша одноатомной толщины) на плос6
ких гранях возникшего кристаллика. Двумерный зародыш должен иметь размер не
меньше критического, иначе зародыш не будет устойчив, т.к. вследствие образования
дополнительной поверхности раздела свободная энергия системы возрастает;
• наличия дислокации. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется
ступенька, к которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости.
5
ных условиях (в зависимости от скорости охлаждения). При плавлении – ∆T перегрева, как
правило, не более нескольких градусов.
Рис. 2. Термические кривые охлаждения при кристаллизации чистых металлов
с разной скоростью (v1 – v3)
Процесс кристаллизации начинается с образования кристаллических зародышей (цен
тров кристаллизации) и продолжается в процессе роста их числа и размеров.
При переохлаждении сплава ниже Tпл плавления во многих участках жидкого сплава об
разуются устойчивые, способные к росту кристаллические зародыши, называемые критиче
скими.
Образование зародышевых центров. В жидком металле сохраняется так называемый
ближний порядок, когда упорядоченное расположение атомов распространяется на очень не
большое расстояние. Вследствие интенсивного теплового движения атомов ближний поря
док динамически неустойчив. При температурах, близких к температуре плавления, в жид
ком металле возможно образование небольших группировок, в которых атомы расположены
так же, как и в кристаллах.
Такие группировки атомов называются фазовыми (или гетерогенными) флуктуациями.
В чистом от примесей жидком металле наиболее крупные гетерофазные флуктуации могут
превратиться в зародыши (центры кристаллизации). Рост зародыша возможен только при
условии, если он достиг определенной величины, начиная с которой его рост ведет к умень
шению свободной энергии.
Минимальный размер зародыша, способный к росту при данных температурных усло
виях, называется критическим размером зародыша.
Образованию зародыша способствует неравномерное распределение энергии между ато
мами вещества. Эти случайные и временные отклонения энергии отдельных атомов или
группировок атомов от среднего значения для данной температуры называют флуктуациями
энергии. Эти флуктуации способствуют получению энергии, требуемой для образования за
родыша критического размера. Зародыш, способный к росту, образуется там, где гетеро
генные флуктуации в жидком металле размером не меньше критического обладают повы
шенной энергией, которая не меньше определенного уровня.
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохла
жденной жидкости к кристаллам.
Кристалл растет в результате:
• образования двухмерного зародыша (т.е. зародыша одноатомной толщины) на плос
ких гранях возникшего кристаллика. Двумерный зародыш должен иметь размер не
меньше критического, иначе зародыш не будет устойчив, т.к. вследствие образования
дополнительной поверхности раздела свободная энергия системы возрастает;
• наличия дислокации. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется
ступенька, к которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости.
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
