Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Нагорнов Ю.С. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГУ | Тольятти

Составители: 

Рубрика: 

4
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, ЕДИНИЦ И ТЕРМИНОВ
Å
– ангстрем, 1 Å = 10
-
10
м;
a
– поляризуемость иона, Å
3
;
a – период кристаллической решетки, Å;
e
– диэлектрическая проницаемость среды; параметр сходимости
рядов метода Эвальда;
e
0
– электрическая постоянная,
e
0
=8.85419…
×
10
-
12
Ф/м;
e
– элементарный заряд, e = 1.60217733
10
-
19
Кл;
S
i
C
i
EE ,
– суммарные энергии ядра и оболочки иона, эВ;
D
E
– энергия образования дефекта, эВ;
(
)
ij
RF
r
r
– сила взаимодействия ионов i и j, эВ
×
Å
-
1
;
k
i
– жесткость связи ядро-оболочка иона, эВ
×
Å
-
2
;
K
E
– константа закона Кулона, K
E
º
1/4
p
e
0
;
m
K
r
– вектор обратной решетки кристалла, Å
-
1
;
L – период периодических граничных условий, Å;
rR
r
r
,
– координаты ионов модельного кристалла, Å;
R
ij
– расстояние между ионами i и j, Å;
(
)
r
r
r
– плотность электрического заряда, Кл/м
3
;
Q
i
,
q
– заряд иона, e;
U
ShortRange
(
R
)
– потенциал взаимодействия электронных оболочек
ионов, эВ;
j
– потенциал электрического поля, Дж/Кл;

Страницы