Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Нагорнов Ю.С. - 58 стр.

UptoLike

Составители: 

58
Xe в дивакансии
*)
__ 7.15 __ __
Xe в тривакансии
__ 4.14 __ __
Xe в тривакансии
*)
__ 5.17 __ __
Xe в линейной
тривакансии
*)
__ 6.18 __ __
O
2
-
U
4+
Xe
0.54704 нм
Рис. 2.8 Междоузельная позиция атома Xe в кристалле UO
2
Таблица 2.5.
Энергетически выгодные положения Xe
Дефект
Энергия образования
дефекта
Энергия растворения
Xe
Вакансия
U
4+
22.5 эВ 7.68 эВ
Дивакансия U
4+
-
O
2-
9.92 эВ 5.99 эВ
Тривакансия U
4+
-
2×O
2-
8.38 эВ 4.14 эВ