Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Нагорнов Ю.С. - 59 стр.

UptoLike

Составители: 

59
Вакансия
на месте
O
2-
Атом Xe
смещен к
вакансии O
2-
на 0.14×a =
= 0,077×нм
0.2735 нм
O
2
-
Рис. 2.9 Атом Xe в дивакансии U
4+
- O
2-
кристалла UO
2
Атом Xe
смещен к
точке А
на 0.16
×
a =
= 0.086 нм
O
2
-
Рис. 2.10 Атом Xe в тривакансии U
4+
- 2O
2-
кристалла UO
2