ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
поглощены подложкой светодиода, либо металлической
поверхностью контакта. Кроме того, не все фотоны могут покинуть
полупроводниковую структуру из-за полного внутреннего отражения.
Поэтому вводится такое понятие как коэффициент оптического
вывода излучения, определяемый как отношение числа фотонов,
излученных светодиодом, к числу фотонов, образованных в активной
области в единицу времени (секунду), т.е.:
hP
hP
extraction
/
/
int
, (3.11)
где Р – мощность оптического излучения, выходящего за пределы
светодиода. Этот параметр отражает качество светодиода. Без
применения сложных и дорогих технологических процессов
практически невозможно сделать светодиод с
%50
extraction
.
Внешний квантовый выход излучения светодиода определяется
отношением числа фотонов, испущенных светодиодом к числу
инжектированных электронов в единицу времени (секунду), т.е.:
extractionext
eI
hP
int
/
)/(
. (3.12)
Коэффициент полезного действия (к.п.д.) светодиода определяется
как:
VI
P
power
, (3.13)
где
VI
- электрическая мощность, подведенная к светодиоду.
История создания полупроводниковых светодиодов
В 1891 году Юджин Ачесон отработал процесс промышленного
получения нового материала – карбида кремния (SiС), названного
карборундом.
В 1907 году Генри Джозеф Раунд (1881-1966) при работе с
кристаллами карборунда заметил испускаемое ими свечение.
В 1928 году Лосев опубликовал результаты своих исследований
явления люминесценции, наблюдаемого в выпрямляющих диодах на
основе SiС (переход металл – полупроводник). Он установил, что
излучение света в одних диодах возникает только при их смещении в
обратном направлении, а в других – при смещении как в прямом, так
и обратном направлениях. Лосев установил, что излучение света
никак не связано с сильным разогревом поверхности. Также он
предположил, что явление люминесценции «очень похоже на процесс
испускания холодных электронов». Лосев обнаружил, что процесс
29
поглощены подложкой светодиода, либо металлической
поверхностью контакта. Кроме того, не все фотоны могут покинуть
полупроводниковую структуру из-за полного внутреннего отражения.
Поэтому вводится такое понятие как коэффициент оптического
вывода излучения, определяемый как отношение числа фотонов,
излученных светодиодом, к числу фотонов, образованных в активной
области в единицу времени (секунду), т.е.:
P / h
extraction , (3.11)
Pint / h
где Р – мощность оптического излучения, выходящего за пределы
светодиода. Этот параметр отражает качество светодиода. Без
применения сложных и дорогих технологических процессов
практически невозможно сделать светодиод с extraction 50% .
Внешний квантовый выход излучения светодиода определяется
отношением числа фотонов, испущенных светодиодом к числу
инжектированных электронов в единицу времени (секунду), т.е.:
P /( h )
ext int extraction . (3.12)
I /e
Коэффициент полезного действия (к.п.д.) светодиода определяется
как:
P
power , (3.13)
I V
где I V - электрическая мощность, подведенная к светодиоду.
История создания полупроводниковых светодиодов
В 1891 году Юджин Ачесон отработал процесс промышленного
получения нового материала – карбида кремния (SiС), названного
карборундом.
В 1907 году Генри Джозеф Раунд (1881-1966) при работе с
кристаллами карборунда заметил испускаемое ими свечение.
В 1928 году Лосев опубликовал результаты своих исследований
явления люминесценции, наблюдаемого в выпрямляющих диодах на
основе SiС (переход металл – полупроводник). Он установил, что
излучение света в одних диодах возникает только при их смещении в
обратном направлении, а в других – при смещении как в прямом, так
и обратном направлениях. Лосев установил, что излучение света
никак не связано с сильным разогревом поверхности. Также он
предположил, что явление люминесценции «очень похоже на процесс
испускания холодных электронов». Лосев обнаружил, что процесс
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
