Оптические методы в информатике. Наний О.Е - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

30
появления и исчезновения свечения в SiС диодах происходил очень
быстро, что делало возможным изготовление на их основе так
называемых «световых реле».
К концу 60-х годов ХХ века были разработаны технологии
получения пленок SiС и изготовления на их основе
полупроводниковых устройств с p-n переходом. Диоды из карбида
кремния являлись прародителями современных светодиодов голубого
свечения, эффективность преобразования электрической энергии в
оптическое излучение которых составляла всего 0.005%. В
последующие десятилетия не удалось значительно улучшить
характеристики светодиодов голубого свечения, что объясняется тем,
что SiС относится к непрямозонным полупроводникам, которые
отличаются очень низкой вероятностью межзонных оптических
переходов. Лучшие SiС светодиоды излучали свет с длиной волны 470
нм и имели к.п.д. порядка 0.03%.
В 1954 году, после того как научились получать из расплавов
монокристаллы GаАs, начался бум исследований полупроводниковых
соединений типа А
III
В
V
. В 1962 году появилось сразу несколько
публикаций о создании инфракрасных светодиодов (870…980 нм) и
GаАs лазеров (Pankove, Berkeyheiser, 1962; Pankove, Massoulie, 1962;
Hall и др., 1962; Nathan и др., 1962; Quist и др., 1962).
В начале 60-х годов научный коллектив, в состав которого входили
известные ученые из IBM Thomas J. Watson Research Center,
расположенного в Йорктаун Хейтс в часе езды к северу от Нью-
Йорка: Джерри Вудалл, Ганс Руппрехт, Манфред Пилкухн, Маршалл
Натан и др., провел большую исследовательскую работу по созданию
GаАs и АlGаАs светодиодов и изучению их характеристик.
В 1962 году опубликовано сообщение о когерентном излучении
видимого света, наблюдаемом на p-n переходе GаАsР при низкой
температуре. В дальнейшем оказалось, что GаАsР светодиоды
работают и при комнатной температуре.
В 1968 году кампания Monsanto Corporation построила завод, на
котором стали изготавливать сравнительно недорогие GаАsР
светодиоды. Этот год можно назвать началом эры твердотельных
излучателей. Светодиодные кристаллы, выпускавшиеся Monsanto
Corporation, представляли собой GаАsР р-n структуры, выращенные
на GаАs подложках, излучающие фотоны с длиной волны,
соответствующей красному диапазону видимого спектра.
Первые GаР светодиоды красного и зеленого свечения были
созданы группой ученых под руководством Ральфа Логана в Bell
Laboratories в Мюррее Хилл (Нью Джерси) в начале 1960-х годов. GаР 
                                 30



появления и исчезновения свечения в SiС диодах происходил очень
быстро, что делало возможным изготовление на их основе так
называемых «световых реле».
   К концу 60-х годов ХХ века были разработаны технологии
получения пленок SiС и изготовления на их основе
полупроводниковых устройств с p-n переходом. Диоды из карбида
кремния являлись прародителями современных светодиодов голубого
свечения, эффективность преобразования электрической энергии в
оптическое излучение которых составляла всего 0.005%. В
последующие десятилетия не удалось значительно улучшить
характеристики светодиодов голубого свечения, что объясняется тем,
что SiС относится к непрямозонным полупроводникам, которые
отличаются очень низкой вероятностью межзонных оптических
переходов. Лучшие SiС светодиоды излучали свет с длиной волны 470
нм и имели к.п.д. порядка 0.03%.
   В 1954 году, после того как научились получать из расплавов
монокристаллы GаАs, начался бум исследований полупроводниковых
соединений типа АIIIВV. В 1962 году появилось сразу несколько
публикаций о создании инфракрасных светодиодов (870…980 нм) и
GаАs лазеров (Pankove, Berkeyheiser, 1962; Pankove, Massoulie, 1962;
Hall и др., 1962; Nathan и др., 1962; Quist и др., 1962).
В начале 60-х годов научный коллектив, в состав которого входили
известные ученые из IBM Thomas J. Watson Research Center,
расположенного в Йорктаун Хейтс в часе езды к северу от Нью-
Йорка: Джерри Вудалл, Ганс Руппрехт, Манфред Пилкухн, Маршалл
Натан и др., провел большую исследовательскую работу по созданию
GаАs и АlGаАs светодиодов и изучению их характеристик.
   В 1962 году опубликовано сообщение о когерентном излучении
видимого света, наблюдаемом на p-n переходе GаАsР при низкой
температуре. В дальнейшем оказалось, что GаАsР светодиоды
работают и при комнатной температуре.
   В 1968 году кампания Monsanto Corporation построила завод, на
котором стали изготавливать сравнительно недорогие GаАsР
светодиоды. Этот год можно назвать началом эры твердотельных
излучателей. Светодиодные кристаллы, выпускавшиеся Monsanto
Corporation, представляли собой GаАsР р-n структуры, выращенные
на GаАs подложках, излучающие фотоны с длиной волны,
соответствующей красному диапазону видимого спектра.
   Первые GаР светодиоды красного и зеленого свечения были
созданы группой ученых под руководством Ральфа Логана в Bell
Laboratories в Мюррее Хилл (Нью Джерси) в начале 1960-х годов. GаР

Страницы