Оптические методы в информатике. Наний О.Е - 94 стр.

                                94




    Рис. 9.3. Схемы и графики некоторых характеристик
    полупроводниковых лазеров на p-n-переходе разных типов:
    гомолазера (1а, 2а, 3а); гетеролазера с односторонним
    ограничением (1б, 2б, 3б); гетеролазера с двухсторонним
    ограничением (1в, 2в, 3в).
    1) 1а, 1б, 1в - зонные схемы. Строчными буквами (p и n)
    обозначены области, образованные узкозонным, а
    прописными (P и N ) - широкозонным полупроводником.
    2) 2а, 2б, 2в - графики распределения по кристаллу
    концентраций электронов n и дырок p.
    3) 3а, 3б, 3в - графики распределения по кристаллу
    интенсивности волны I в волноводной моде и
    коэффициента усиления в активном слое .

    Первый случай - это уже рассмотренный ранее гомолазер. На
схеме 1a l - это ширина области в переходном слое между p- и n-
областями кристалла, в которой возникает инверсия населенностей (l
= t ) . Схемы 2а, 2б и 2в иллюстрируют распределение по кристаллу
концентраций электронов и дырок в каждом из приведенных на
данном рисунке случаев, а схемы 3а, 3б и 3в - распределение
интенсивности электромагнитного поля I          и коэффициента
усиления .