Оптические методы в информатике. Наний О.Е - 96 стр.

                                    96



тому, что ширины активной области t и волноводной моды d
совпадают (t = d = l2 ).
   Среди трех рассмотренных выше полупроводниковых лазеров
наилучшими параметрами обладает гетеролазер на основе двойной
структуры.




 Рис. 9.4. Схематическое изображение гетеролазера на основе
 соединений GaAs - Ga1 x Al x As. Резонатор образован плоскостями
 естественного скола кристалла (110), перпендикулярными
 плоскости активного слоя (100). l 2  толщина активного слоя.

    На рис. 9.4 схематически изображен гетеролазер с двухсторонним
ограничением активного слоя. Им в этом случае является слой УЗ
кристалла            p-GaAs,              расположенный       между      ШЗ
слоями n - Ga1 x Al x As и p - Ga1 x Al x As. Буквы n и p перед химической
формулой образующего слой соединения обозначают тип его
проводимости, созданный легированием. Из ШЗ слоев идет инжекция
носителей в активный (УЗ ) слой, почему их называют эмиттерами.
Потенциальные барьеры на границах слоев-эмиттеров с активным
слоем препятствуют обратной диффузии из него инжектированных
носителей. Слои нанесены на подложку из n   GaAs. Значок “+” около
n говорит о сильном легировании материала подложки (по сравнению
с нанесенным на нее слоем n - Ga1 x Al x As ). Поверх всех этих слоев
нанесен контактный слой из p-GaAs. Внешние поверхности