Изучение работы транзистора. Назаров А.И. - 4 стр.

Цель работы:
1. Познакомиться с устройством и работой полупроводникового транзи-
стора.
2. Измерить входные и выходные статические характеристики транзистора.
3. Определить коэффициент передачи тока базы, коэффициент передачи
тока эмиттера и входное сопротивление транзистора.

                        Теоретическое введение

                 Электропроводность полупроводников

      Полупроводниками называются вещества, занимающие промежуточ-
ное положение между проводниками и диэлектриками по своей способно-
сти проводить электрический ток. Другой их важной особенностью являет-
ся то, что в отличие от металлов электропроводность полупроводников
сильно зависит от температуры и с увеличением последней значительно
возрастает. Рассмотрим причины этого явления.
      В полупроводниках, находящихся при низких температурах, свобод-
ные электроны отсутствуют, так как все они участвуют в образовании свя-
зей между атомами кристаллической решетки. Для того, чтобы валентный
электрон стал электроном проводимости и мог принимать участие в заря-
допереносе, необходима дополнительная энергия. Такую энергию можно
сообщить повышая температуру полупроводника или воздействуя на него
излучением. Для каждой температуры существует своя равновесная кон-
центрация электронов проводимости, значение которой можно определить
по формуле (1):

     n=C*T3/2*exp(-(Ec-EF)/kT),                                (1)

где С - константа,
    T - температура,
    Ec - EF - разность энергий дна зон проводимости и Ферми,
    k - постоянная Больцмана.

     Процесс отрыва электрона от нейтрального атома сопровождается
образованием на его месте вакансии. В чистом полупроводнике число
электронов проводимости равно числу вакансий. В результате теплового
возбуждения электроны с соседних нейтральных атомов могут переходить
на вакантное место. Такое коллективное поочередное движение электро-

4