Изучение работы транзистора. Назаров А.И. - 6 стр.

проводимости. Это достигается, например, диффузионным способом или
путем ионной имплантации (ионной бомбардировкой поверхности полу-
проводника с последующим высокотемпературным отжигом).
     В p - области перехода основными носителями являются дырки, а
неосновными - электроны. В n - области наоборот, основными носителями
являются электроны, а неосновными - дырки. Согласно закону действую-
щих масс концентрация электронов и дырок связаны между собой соотно-
шением (2):

     n*p=ni2=pi2,                                                (2)

где p, n - концентрация носителей в примесном полупроводнике,
    pi, ni -концентрация носителей в собственном полупроводнике.

      Следовательно, в каждой области концентрация основных носителей
много больше концентрации неосновных носителей заряда и в области
контакта полупроводников с различным типом проводимости существует
градиент концентрации электронов и дырок, вызывающий их диффузию
через пограничный слой во встречных направлениях. Величина диффузи-
онного тока рассчитывается по формулам (3, 4):

     jp=-q*Dp*dp/dx,                                               (3)

     jn=q*Dn*dn/dx,                                                (4)

где jn, jp - плотность электронного и дырочного токов,
     q - заряд электрона,
     Dn, Dp - коэффициенты диффузии электронов и дырок,
     dn/dx, dp/dx - градиенты концентраций электронов и дырок.

      В результате ухода электронов и дырок из атомов в приконтактных
областях возникает область положительно и отрицательно заряженных ио-
нов (доноров и акцепторов) - двойной слой. Этот слой обладает большим
сопротивлением, так как в нем отсутствуют свободные носители заряда.
Сами электроны и дырки, перейдя в соседние области p-n перехода, реком-
бинируют там с основными носителями. Таким образом, на границе двух
полупроводников появляется контактное поле напряженностью Ek (см. рис.
1).
                                 _

6