Изучение работы транзистора. Назаров А.И. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

7
E
k
нейтральная нейтральная
p- область n- область
p=N
-
акцепторов
n=N
+
доноров
L
Рис. 1. Схематическое изображение p-n перехода:
+ - ионизованные атомы акцепторной примеси,
- - ионизованные атомы донорной примеси,
L - ширина p-n перехода,
Е
к
- наппряженность контактного поля перехода
Это поле вызывает соответствующие токи электронов и дырок:
j
n
= -q*m
n
*n
p
*E
к,
(5)
j
p
др
=q*m
p
*p
n
*E
к
, (6)
где m
n,
m
p
- подвижности электронов и дырок,
E
к
- напряженность контактного электрического поля в области
двойного слоя,
n
p
- концентрация электронов в p - полупроводнике,
p
n
- концентрация дырок в n - полупроводнике.
Направление контактного поля таково, что оно препятствует даль-
нейшему переходу через двойной слой основных носителей с той и другой
стороны p-n перехода и, наоборот, способствует переносу неосновных но-
сителей. Таким образом, с течением времени диффузионная и дрейфовая
компоненты тока уравновесят друг друга и суммарный ток через p-n пере-
ход станет равен нулю. Зонная (энергетическая) диаграмма, отражающая
состояние p-n перехода в равновесии в отсутствие внешнего электрическо-
го поля, приведена на рисунке 2 а.
Дно зоны проводимости а) 
                                Ek


               нейтральная              нейтральная
               p- область               n- область
                   -
               p=N акцепторов           n=N+доноров




                                 L

     Рис. 1. Схематическое изображение p-n перехода:
             + - ионизованные атомы акцепторной примеси,
              - - ионизованные атомы донорной примеси,
             L - ширина p-n перехода,
             Ек - наппряженность контактного поля перехода

     Это поле вызывает соответствующие токи электронов и дырок:

     jn= -q*mn*np*Eк,                                             (5)

     jpдр=q*mp*pn*Eк,                                           (6)

где mn, mp - подвижности электронов и дырок,
      Eк - напряженность контактного электрического поля в области
           двойного слоя,
      np - концентрация электронов в p - полупроводнике,
      pn - концентрация дырок в n - полупроводнике.
      Направление контактного поля таково, что оно препятствует даль-
нейшему переходу через двойной слой основных носителей с той и другой
стороны p-n перехода и, наоборот, способствует переносу неосновных но-
сителей. Таким образом, с течением времени диффузионная и дрейфовая
компоненты тока уравновесят друг друга и суммарный ток через p-n пере-
ход станет равен нулю. Зонная (энергетическая) диаграмма, отражающая
состояние p-n перехода в равновесии в отсутствие внешнего электрическо-
го поля, приведена на рисунке 2 а.

              Дно зоны проводимости                    а)

                                                                        7

Страницы