ВУЗ:
Составители:
63
данных при записи событий, и в целом все эти условия вполне
согласуются между собой.
Повышение интенсивности гамма – пучка, получаемого
методом обратного комптоновского рассеяния вполне
возможно, если использовать длинноволновые лазеры. В этом
случае потери энергии электрона на излучение гамма-квантов
сравнительно невелики, и поэтому рассеянный электрон не
теряется в накопителе, а возвращается на свою равновесную
орбиту. В этом случае принципиальных ограничений на
интенсивность пучка нет. Первые успешные экспериментальные
результаты в этом направлении получены в Японии на
нескольких электронных накопителях с использованием
длинноволновых
СО
2
лазеров, а также в США в университете
Дьюка с помощью лазера на свободных электронах. Учитывая
важность этого направления, особенно для прикладных
исследований, мы обсудим этот вопрос ниже в отдельной главе.
Среди проектов для будущих установок подобного типа
следует отметить станцию «ГАММА», которая создается в
Курчатовском Центре Синхротронного Излучения (КЦСИ) на
накопителе электронов «Сибирь-2». В России этот центр
является первым специализированным источником СИ, и
создание на нем пучка жестких гамма квантов является
актуальной задачей.
6.1. Основные характеристики процесса обратного
комптоновского рассеяния.
Дифференциальное сечение обратного комптоновского
рассеяния лазерных фотонов на электронах в лабораторной
системе (без учета поляризации) можно представить виде :
(6.1)
+
−
+
+
+
=
22
22
2
0
)1(
41
1
4
n
n
K
n
n
K
r
dn
d
π
σ
данных при записи событий, и в целом все эти условия вполне согласуются между собой. Повышение интенсивности гамма – пучка, получаемого методом обратного комптоновского рассеяния вполне возможно, если использовать длинноволновые лазеры. В этом случае потери энергии электрона на излучение гамма-квантов сравнительно невелики, и поэтому рассеянный электрон не теряется в накопителе, а возвращается на свою равновесную орбиту. В этом случае принципиальных ограничений на интенсивность пучка нет. Первые успешные экспериментальные результаты в этом направлении получены в Японии на нескольких электронных накопителях с использованием длинноволновых СО 2 лазеров, а также в США в университете Дьюка с помощью лазера на свободных электронах. Учитывая важность этого направления, особенно для прикладных исследований, мы обсудим этот вопрос ниже в отдельной главе. Среди проектов для будущих установок подобного типа следует отметить станцию «ГАММА», которая создается в Курчатовском Центре Синхротронного Излучения (КЦСИ) на накопителе электронов «Сибирь-2». В России этот центр является первым специализированным источником СИ, и создание на нем пучка жестких гамма квантов является актуальной задачей. 6.1. Основные характеристики процесса обратного комптоновского рассеяния. Дифференциальное сечение обратного комптоновского рассеяния лазерных фотонов на электронах в лабораторной системе (без учета поляризации) можно представить виде : dσ K 1+ n2 4n 2 = 4πr02 + − (6.1) dn 1 + n K (1 + n 2 ) 2 63
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- …
- следующая ›
- последняя »