Моделирование и исследование электронных устройств в системе Electronics Workbench. Нефедьев А.И - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Лабораторная работа № 2
Исследование усилительных каскадов на биполярных
транзисторах
Цель работы
– Изучение работы усилительных каскадов на
биполярных транзисторах, определение основных параметров и их
расчет по постоянному току.
Рабочее задание
1 Домашнее задание
1.1 Для схемы усилительного каскада ОЭ (рисунок 1) и
указанных параметров элементов предварительно рассчитать
значение резистора R1 при условии U
к
= 0,5Е. Рассчитать рабочий
режим транзистора (I
к
, U
кэ
, I
б
).
1.2 Рассчитать малосигнальные параметры схемы:
коэффициент усиления K
U
, входное сопротивление R
вх
, выходное
сопротивление R
вых
.
1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и
указанных параметров элементов предварительно рассчитать
значение резистора R1 при условии U
э
= 0,5Е и рабочий режим
транзистора (I
к
, U
кэ
, I
б
).
1.4 Рассчитать малосигнальные параметры схемы (K
U
, R
вх
,
R
вых
).
2 Экспериментальная часть
2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом
задания таблицы 1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания
мыши на изображении транзистора и выбрать в появившемся окне
NPN Transistor Properties в разделе Library библиотеку default, а
затем в разделе Model – тип транзистора ideal. Выбрать
последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и
Paste,
записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в
соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В
результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для
корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить
значения параметров Forward current gain coefficient [BF]
(коэффициент усиления β), Base ohmic resistance [RB]
(сопротивление базы R
б
), Emiter ohmic resistance [RE]
(сопротивление эмиттера R
э
), Collector ohmic resistance [RC]
(сопротивление коллектора R
к
) в соответствии с таблицей 1.
Значения других параметров оставить без изменения. 
                       Лабораторная работа № 2
         Исследование усилительных каскадов на биполярных
                            транзисторах
     Цель работы – Изучение работы усилительных каскадов на
биполярных транзисторах, определение основных параметров и их
расчет по постоянному току.
                            Рабочее задание
         1 Домашнее задание
     1.1 Для схемы усилительного каскада ОЭ (рисунок 1) и
указанных параметров элементов предварительно рассчитать
значение резистора R1 при условии Uк = 0,5Е. Рассчитать рабочий
режим транзистора (Iк, Uкэ, Iб).
     1.2   Рассчитать  малосигнальные    параметры    схемы:
коэффициент усиления KU, входное сопротивление Rвх, выходное
сопротивление Rвых .
     1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и
указанных параметров элементов предварительно рассчитать
значение резистора R1 при условии Uэ = 0,5Е и рабочий режим
транзистора (Iк, Uкэ, Iб).
         1.4   Рассчитать малосигнальные параметры схемы (KU, Rвх,
Rвых).
         2 Экспериментальная часть
     2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом
задания таблицы 1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания
мыши на изображении транзистора и выбрать в появившемся окне
NPN Transistor Properties в разделе Library библиотеку default, а
затем в разделе Model – тип транзистора ideal. Выбрать
последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste,
записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в
соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В
результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для
корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить
значения параметров Forward current gain coefficient [BF]
(коэффициент усиления β), Base ohmic resistance [RB]
(сопротивление базы Rб), Emiter ohmic resistance [RE]
(сопротивление эмиттера Rэ), Collector ohmic resistance [RC]
(сопротивление коллектора Rк) в соответствии с таблицей 1.
Значения других параметров оставить без изменения.

Страницы