ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
2.2. Для исследования схемы усилительного каскада ОЭ
собрать схему в соответствии с рисунком 1.
Таблица 1
№
вариан
та
Обозначение
транзистора
Тип
транзистора
β(BF)
R
б
, Ом
(RB)
R
э
, Ом
(RЕ)
R
к
, Ом
(RС)
1 VТ1 КТ315Б 60 5 2 1
2 VТ1 КТ3102Ж 100 3 1 0,6
3 VТ1 КТ315Г 60 5 2 1
4 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
5 VТ1 КТ3102Д 200 3 1 0,6
6 VТ1 КТ315Е 50 5 2 1
7 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
8 VТ1 КТ503Б 80 2,5 1,2 0,5
10 VТ1 КТ503Г 80 2,5 1,2 0,5
11 VТ1 КТ503Д 40 2,5 1,2 0,5
12 VТ1 КТ503Е 40 2,5 1,2 0,5
13 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
14 VТ1 КТ3102Б 200 3 1 0,6
15 VТ1 КТ3102В 200 3 1 0,6
16 VТ1 КТ503Б 80 2,5 1,2 0,5
17 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
18 VТ1 КТ3102В 200 3 1 0,6
19 VТ1 КТ503Г 80 2,5 1,2 0,5
20 VТ1 КТ315А 30 5 2 1
21 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
22 VТ1 КТ503Е 40 2,5 1,2 0,5
23 VТ1 КТ315Б 60 5 2 1
24 VТ1 КТ3102Б 200 3 1 0,6
2.2. Для исследования схемы усилительного каскада ОЭ
собрать схему в соответствии с рисунком 1.
Таблица 1
№ Обозначение Тип Rб , Ом Rэ , Ом Rк , Ом
β(BF)
вариан транзистора транзистора (RB) (RЕ) (RС)
та
1 VТ1 КТ315Б 60 5 2 1
2 VТ1 КТ3102Ж 100 3 1 0,6
3 VТ1 КТ315Г 60 5 2 1
4 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
5 VТ1 КТ3102Д 200 3 1 0,6
6 VТ1 КТ315Е 50 5 2 1
7 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
8 VТ1 КТ503Б 80 2,5 1,2 0,5
10 VТ1 КТ503Г 80 2,5 1,2 0,5
11 VТ1 КТ503Д 40 2,5 1,2 0,5
12 VТ1 КТ503Е 40 2,5 1,2 0,5
13 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
14 VТ1 КТ3102Б 200 3 1 0,6
15 VТ1 КТ3102В 200 3 1 0,6
16 VТ1 КТ503Б 80 2,5 1,2 0,5
17 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
18 VТ1 КТ3102В 200 3 1 0,6
19 VТ1 КТ503Г 80 2,5 1,2 0,5
20 VТ1 КТ315А 30 5 2 1
21 VТ1 КТ3102А 100 3 1 0,6
22 VТ1 КТ503Е 40 2,5 1,2 0,5
23 VТ1 КТ315Б 60 5 2 1
24 VТ1 КТ3102Б 200 3 1 0,6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
