Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 105 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

перегреву светодиода и выходу его из строя. Таким образом, последователь-
но со светодиодом нужно включать резистор, если схема питается от
источника напряжения (с малым внутренним сопротивлением). Если в схеме
возможна подача на светодиод большого обратного напряжения, для
предохранения его от пробоя последовательно с ним необходимо включать
обычный диод с большим пробивным напряжением.
Быстродействие светоизлучающего диода (СИД) определяется
инерционностью процессов излучения при подаче прямоугольных импульсов
прямого тока. Время переключения t
пер
складывается из времени включения
t
вк
и времени выключения t
выкл
. Инерционность СИД определяется процессом
перезаряда барьерной емкости p – n – перехода и процессом накопления и
рассасывания неосновных носителей заряда в базе СИД. Важной особен-
ностью СИД является присущая им деградация – постепенное уменьшение
мощности излучения при длительном протекании тока. Деградацию связы-
вают с ростом концентрации безизлучательной рекомбинации за счет
перемещения в электрическом поле неконтролируемых атомов и примеси. У
некоторых СИД срок службы менее 10
3
часов.
В фотодиоде при его освещении происходит образование
фотоносителей, влияющих на его ВАХ. Фотодиод может работать без
внешнего напряжения (фотогальванический режим) и при обратном внешнем
напряжении (фотодиодный режим) – рис. 9.10. Фотогальванический режим
соответствует случаю, когда диод работает генератором фото – ЭДС , причем
0
ô H
U I R
=
, где
H
R
- сопротивление нагрузки.
В общем случае при любой полярности напряжения источника ток
фотодиода описывается выражением
0
( ) ( 1)
Ò
U
ÔÄ Ô
I I Ô I e
ϕ
= + −
,
где Ф – световой поток,
φ
Т
– тепловой потенциал,
I
0
– тепловой ток p-n- перехода.
Семейство ВАХ фотодиода показано на рис. 9.11. Область I -нерабочая
область фотодиода (ФД), здесь к р-n-переход прикладывается прямое
напряжение, прямой ток через ФД намного больше фототока. Область III –
это фотодиодная область работы ФД. К p-n-переходу прикладывается
обратное напряжение. Фототок практически не зависит от обратного
напряжения. Фототок практически не зависит от обратного напряжения и
сопротивления нагрузки R
н
, он зависит от светового потока, т.е. ФД является
источником тока. В области III показана ВАХ сопротивление нагрузки R
н
.
Напряжение на ФД
Как видно, с увеличением светового потока Ф I
ф
растет. При этом при
R
н
=const статическое сопротивление ФД падает, хотя динамическое
105

Страницы