ВУЗ:
Составители:
сопротивление меняется слабо.
Область IV соответствует фотогальваническому режиму работы ФД.
Точки пересечения ВАХ с осью напряжения соответствует значениям фото-
ЭДС холостого хода (V
xx
). У кремниевых фотодиодов V
xx
=(0.5-0.55)В. Точки
пересечения ВАХ с осью токов соответствует точкам короткого замыкания
нагрузки I
кз
. При наличии сопротивления нагрузки V<V
xx
и I<I
кз
.
Оптимальному режиму работы ФД в фотогальваническом режиме
соответствует такое R
н
, при котором на нем выделяется наибольшая
мощность. Для кремниевых ФД V=(0.35-0.4)В,
I .
Быстродействие фотодиода в фотодиодном режиме определяется, с
одной стороны, процессами разделения заряда в i-n
+
-переходе, с другой
стороны барьерной емкостью p
+
-i-n
+
- перехода. Разделение носителей полем
i-n
+
-перехода происходит после того, как носители из места возникно-вения
попадут к i-n
+
-переходу. Так как время дрейфа в i-область и время перезаряда
барьерной емкости при малом сопротивлении нагрузки существенно меньше
времени диффузии носителей в p
+
-области, то время переключения ФД в
основном определяется процессами диффузии носителей заряда в p
+
-области.
106
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 104
- 105
- 106
- 107
- 108
- …
- следующая ›
- последняя »
