ВУЗ:
Составители:
2
1,07
Ю
E
t
f
l
ρ
=
.
Для никеля и его сплавов
3
4.9 10E P
≈ Ч
м/с. Такие фильтры на
частоте fр = 1кГц имеют добротность Q = 200-1000.
Расчет электромеханических фильтров изложен в [8]-[11].
1.7. Транзисторные RC-фильтры на конверторах отрицательного
сопротивления
Рассмотрим одну из схем конверторов отрицательного
сопротивления, показанную на рис. 1.39. При подаче напряжения питания Е,
достаточного для вывода всех транзисторов в активный режим, между
клеммами а-б появляется отрицательное дифференциальное сопротивление.
Вольтамперная характеристика между клеммами а-б показана на рис. 1.40. С
ростом тока напряжение уменьшается и сопротивление
диф
U
R
I
∆
=
∆
отрицательно. Примем следующие допущения: все транзисторы имеют
одинаковый коэффициент передачи по току в схеме с общей базой, т.е. α
1
=
α
2
= α
3
= α
4
= α; токи базы много меньше токов эмиттера, поэтому этими
точками пренебрегаем; эмиттерно-базовый переход идеален, т.е. при U
ЭБ
= 0,7
В ∆U
ЭБ
= 0 при росте тока. Рассмотрим малосигнальный случай, т.е.
рассмотрим схему в линейном приближении. Обозначим направления
приращений токов как показано на рис. 1.39. Тогда, используя законы
Кирхгофа, можно составить следующую систему уравнений:
1) ∆U = ∆I
2
⋅ R
1
;
2) ∆U = -∆I
1
⋅ R
1
;
3) ∆I
1
= ∆I
К1
;
4) ∆I
Э2
+ ∆I = 0;
5) ∆I
Э1
= ∆I
2
+ ∆I
К4
;
6) ∆I
2
= ∆I
К3
;
7) ∆I
Э4
= ∆I;
8) ∆I
Э3
= ∆I
1
+ ∆I
К2
.
Здесь ∆I
аб
= ∆I, ∆U = ∆U
аб
.
Объединяя (1) и (2), получим
∆U = 0,5R
1
(∆I
2
- ∆I
1
),
(3) перепишем в виде ∆I
1
= α∆I
Э1
,
(4) - ∆I
Э2
= -∆I, (5) - ∆I
Э1
= ∆I
2
+ α∆I
Э4
,
(6) - ∆I
2
= α∆I
Э3
, (7) - ∆I
Э4
= ∆I
Э1
= ∆I, (8) - ∆I
Э3
= ∆I
1
- α∆I
2
.
Из (6)
2
3Э
I
I
α
∆
∆ =
, из (3) -
1
1Э
I
I
α
∆
∆ =
.
24
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
