Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

включаться емкости
1
2
C
. С учетом этого
2
2
1 1
0,5
1
Э
L C R
α
α
=
+
.
Таким образом, между клеммами а-б имеется цепочка из L
Э
и R
Э
.
Подключим параллельно клеммам а-б цепочку из последовательно
соединенных конденсатора С2 и резистора переменного сопротивления R3.
Получим параллельный колебательный контур. Сигнал в него будем вводить
через конденсатор С3 (С3<<С2) или резистор с большим сопротивление. Так
как в параллельном контуре наблюдается резонанс токов, то включив
сопротивление нагрузки (малое) R4 в цепь коллектора транзистора VT2,
получим полосовой фильтр, изображенный на рис. 1.41 (эквивалент колеба-
тельного контура).
Температурный коэффициент
1 1
2
Э K
L K R C
α α α α
= + +
.
Так как резонансная частота контура
2
1
2
p
Э
f
LС
π
=
,
то
2 1 1 1 2
0,5( ) 0,5( 2 )
pЭ
f LС К R C C
α α α α α α α
= − + = − + + +
.
Зная величину и знак
H
K
α
,
1
R
α
и выбрав знак и величину
1
C
α
и
,
можно добиться того, чтобы
стремился к 0, т.е. возможна термокомпен-
сация частоты контура.
В схеме резистор R3 служит для компенсации отрицательного
сопротивления R
Э
(в противном случае получается генератор синусоиды).
При заданной частоте f
р
и использовании маломощных транзисторных
сборок типа К1НТ591В сопротивление R1 рекомендуется выбирать,
пользуясь графиком рис. 1.42. Этот график является результатом
эксперимента. Емкость
1
1
0,2 0,6
P
C
f R
π
−
=
,
2 1
(0,5 2)
4
аб
аб
U
R R
Е U
−
=
−
,
2
3
(30 50)
C
C
=
−
,
2
2
1
40
PЭ
C
f L
=
.
Потребляемая мощность
1 2
0,5 2
ЭП ЭП
E U U
P E
R R
ж ц
−
= +
з ч
и ш
,
где для кремниевых транзисторов U
ЭП
= 0,7 В, Е=(4-15)В.
Добротность фильтра регулируется резистором R3, с ростом уровня
переменного сигнала (выше 20 мВ) она уменьшается. Величина добротности
Q = (10÷70), потребляемая мощность Р=(0,1÷30)мВт. Фильтры легко
26

Страницы