ВУЗ:
Составители:
∆I
0
∆I
∆U
0
+E
1
-E
2
∆U
R1
R2
R3
a
б
∆U
0
R1
R2
R3
+
-
C1
C3
C2
R4
К
К
Э
Вх
Вых
+
-
ОУ
Рис.1.43 Рис.1.44
Тогда
3
1
0 2
1
гр
вх
f
j
f
R
Z R
К R
ж ц
+
з ч
з ч
= − +
з ч
з ч
и ш
.
Представляя Z
вх
как параллельное соединение R
Э
и С
Э
, из этого
выражения получим, что
2 2
1
Э
а
Rа в
= −
+
,
2 2
1
2
Э
в
С
а в f
π
= Ч
+
,
где
3
1
0 2
1
R
a R
K R
ж ц
= +
з ч
и ш
,
1
0
гр
R f
в
fК
=
.
Расчеты и эксперимент показывают, что емкость С
Э
очень высокая
(десятки – сотни) пФ.
1.9. Гираторные полосовые фильтры на транзисторах
Один из вариантов гираторных фильтров на транзисторах показан на
рис 1.45 [14]. Здесь имеется два усилителя (транзисторы VT2 и VT4) с
динамическими нагрузками (транзисторы VT1 и VT5). Связь с выхода
первого усилителя на вход второго непосредственная, а с выхода второго на
вход первого – через эмиттерный повторитель (VT3). Емкость конденсатора
С1 инвертируется в эквивалентную индуктивность между клеммами а-б.
Чтобы сопротивление нагрузки не сильно влияло на параметры контура,
состоящего из эквивалентной индуктивности меду клеммами а-б и емкости
конденсатора С2, применен эмиттерный повторитель на транзисторе VT6.
Полагая, что все транзисторы имеют одинаковый коэффициент
передачи по току в схеме с общей базой α, R
5
>> R
Н
, R
6
>> R
4
можно записать
30
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
