Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

3. ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ (ЗУ)
Cуществуют два класса запоминающих устройств: оперативные и
постоянные. Оперативные ЗУ, это когда запись и считывание информации
производится за одинаковое время. Постоянные ЗУ, это когда запись
информации производится при их изготовлении или когда длительность
записи на несколько порядков выше длительности считывания. По способу
хранения информации ЗУ делятся на статистические и динамические.
Статистические ЗУ строятся на бистабильных триггерных ячейках.
Динамические ЗУ строятся с использованием заряда паразитных емкостей
или конденсаторов, требуют периодического восстановления информации в
процессе хранения. По технологии изготовления ЗУ делятся на биполярные,
МДП.
Наиболее широко распространен элемент на схеме триггера с
раздельными входами (R-S-триггер). Его схема показана на рис. 3.1.
Предположим, что исходное состояние триггера таково, что на его выходе Q
имеется низкий уровень напряжения U
о
вых
(транзистор VT3 открыт), что
соответствует «0». При подаче на вход 1 импульса напряжения U
вых
≥U
пор
транзистор VT1 открывается, напряжения на коллекторе транзисторе VT2
уменьшается и, приложенное к базе транзистора VT3, закрывает его.
Величина выходного напряжения изменяется от низкого уровня U
о
вых
до
высокого уровня U
1
вых
, соответствующего «1». Это напряжение
прикладывается к базе транзистора VT2 и открывает его. Напряжение на
коллекторе VT2 независимо от действия входного сигнала поддерживается на
низком уровне, удерживая закрытым транзистор VT3, такое переключение
соответствует записи «1» в запоминающий элемент.
Если подать импульс положительного напряжения на вход 2, то
произойдут аналогичные процессы, что соответствует записи «0».
Считывание информации осуществляется непосредственным
подключением нагрузки к выходным схемам.
Различными схемотехническими приемами стремятся уменьшить
величину мощности хранения P
xp
и времени переключения t
пер
. (используют
многоэмиттерные транзисторы, комплементарные транзисторы, МДП-
транзисторы).
Схема однотранзисторного элемента динамического ЗУ приведена на
рис. 3.2. В режим хранения информации МДП-транзистор закрыт. При подаче
напряжения в адресную шину транзистор открывается и запоминающий
элемент подготовлен для записи или считывания информации. Запись «1»
осуществляется зарядом, а «0» - разрядом запоминающего конденсатора С
3
при подаче в разрядную шину соответственно высокого или низкого
потенциала. Состояние элемента при считывании информации определяется
по наличию или отсутствию тока считывания в разрядной шине.
55

Страницы