Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 57 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

то под воздействием этого напряжения электроны перемещаются в сторону

основного затвора, оседая на плавающем затворе. При считывании к

основному затвору прикладывается положительное напряжение 5 В. Если на

плавающем затворе нет электронов, то исток-сток транзистора проводит ток,

что соответствует «1». Если на плавающем затворе имеются электроны, то

они своим зарядом экранируют основной затвор и исток-сток транзистора не

проводит ток, что соответствует «0». Стирается информация ультразвуковым

облучением в течение нескольких десятков минут во всех элементах сразу.

Электроны, находящийся на плавающих затворах, получают дополнительную

энергию от излучения и стекают на подложку.

Электрически программируемые ПЗУ строятся на МДП-транзисторах,

у которых между затвором и полупроводником располагается двухслойный

диэлектрик – нитрид кремния и двуокись кремния. Принцип записи

информации основан на том, что при подаче на затвор МНОП-транзистора

+30 В на границе двуокись кремния формируется заряд, снижающий

пороговое напряжение включения транзистора. При подаче обратного

напряжения (-30 В) происходит обратный процесс и восстанавливается

высокое пороговое напряжение транзистора. Одно из состояний – «1», другое

– «0». В режиме считывания информации на затвор транзистора подается

напряжение, большее порогового напряжения включения транзистора с

низким порогом, но меньше порогового напряжения транзистора с высоким

порогом. В репрограммируемых ПЗУ этого типа информация стирается

одновременно во всех элементах.