Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 59 стр.

UptoLike

0
2
[1 ( ) ]
kp
kp
T
H H
T
=
,
где Н
0
– критическая напряженность поля при абсолютном нуле.
Эти же кривые для некоторых материалов показаны на рис. 4.3.
Состояние сверхпроводимости может быть разрушено при
пропускании через сверхпроводник тока определенной величины, когда на
поверхности провода напряженность магнитного поля, обусловленное током,
становится равной Н
кр
. Для провода круглого сечения ток :
kp kp
I kdH
=
, где d
– диаметр провода, к – коэффициент.
Если из сверхпроводящего провода создать кольцо, то ток, введенный
в это кольцо, будет циркулировать в нем бесконечно, т.к.
0R
.
Ток в сверхпроводнике течет по его поверхности. Глубина
проникновения тока для Sn при T 0 равна 5*10
-6
см. Глубина
проникновения тока меняется с изменением температуры и внешнего
магнитного поля.
4.2. Криотрон и устройства на его основе.
Конструкция криотрона показана на рис. 4.4. Криотрон состоит из
отрезка провода вентиля, изготовленного из сверхпроводника с низким
значением Н
кр
, окруженного обмоткой управления из сверхпроводника с
высоким значением Н
кр
. При подаче в обмотку управления тока достаточной
величины на поверхности вентиля появляется магнитное поле с
напряженностью Н > Н
кр
, вентиль переходит из сверхпроводящего состояния
в обычное. Таким образом, током в обмотке управления можно управлять
сопротивлением вентиля. Это аналог реле с нормально замкнутыми
контактами.
Конструкция пленочных криотронов приведена на рис. 4.5. Это
поперечный криотрон. В продольном криотроне обмотка управления
расположена вдоль вентиля. Используется также экранирующая свинцовая
пленка, расположенная на подложке и покрытая пленкой диэлектрика.
Элемент памяти на криотронах приведен на рис. 4.6. Здесь
используется принцип перераспределение токов. В исходном состоянии все
вентили 1, 2 и управляющие обмотки находятся в сверхпроводящем
состоянии. Так как индуктивность обмотки управления L
y
больше
индуктивности вентиля L
B
, то ток I
2
течет через вентиль 1. При подаче тока I
1
вентиль 1 переходит в обычное состояние большим сопротивлением) и ток
I
2
потечет по направлению I
3
, переводя вентиль 2 в обычное состояние. Если
выключить ток I
1
, то вентиль 1 вернется в сверхпроводящее состояние. Но ток
I
3
не уменьшится. Это объясняется тем, что токи стремятся сохранить
постоянным магнитный поток через замкнутый контур. Таким образом, мы
имеем элементарную ячейку памяти, о состоянии которой можно судить по
величине сопротивления вентиля 2. При выключении тока I
2
энергия,
запасенная током, протекающим по управляющей цепи криотрона 2, заставит
59