Методы и средства измерений, испытаний и контроля. Никитин В.А - 290 стр.

       Для изготовления преобразователей применяется главным образом
проволока диаметром 0,02-0,05 мм из константана, имеющего коэффициент
k=1,9-2,1.
       Применяются также фольговые и пленочные тензорезисторы,
габаритные размеры которых меньше габаритных размеров проволочных
тензорезисторов.
       Изменение температуры вызывает изменение функции преобразования
тензорезисторов, что объясняется температурной зависимостью сопротивления
преобразователя и различием температурных коэффициентов линейного
расширения материала тензорезистора и исследуемой детали. Влияние
температуры устраняется обычно путем применения соответствующих методов
температурной     компенсации.      Для  измерения   выходной    величины
тензорезисторного преобразователя чаще всего применяют мостовые схемы.
       Существенно более высокой тензочувствительностью обладают
полупроводниковые тензорезисторы. Так, полупроводниковые тензорезисторы
из    кристаллов     кремния      или   германия    имеют    коэффициент
тензочувствительности k = 50 - 200.
       В последние годы появились конструктивно новые полупроводниковые
тензорезисторные датчики, в которых полупроводник выращивается
непосредственно на упругом элементе из кремния или сапфира. Такие
чувствительные элементы обладают хорошими упругими свойствами, в
частности малой погрешностью гистерезиса. На одном упругом элементе
выращивается обычно не один, а несколько тензорезисторов, образующих
измерительную цепь в виде моста (или полумоста). Это обеспечивает малые
габаритные размеры преобразователя и лучшую температурную компенсацию.
Тензорезисторы всех типов находят широкое применение для измерения
деформаций, усилий, давлений, моментов и т. п.

     16.1.3 Термопреобразователи сопротивления. Они были подробно
рассмотрены в главе 14 – «Измерение тепловых величин», поэтому,
считаем повторение излишне.

     16.1.4 Индуктивные преобразователи

      Принцип действия индуктивных преобразователей основан на
зависимости индуктивности или взаимной индуктивности обмоток от
положения, геометрических размеров и магнитного состояния элементов их
магнитной цепи.
      Индуктивности и взаимные индуктивности обмоток, расположенных на
магнитопроводе, при отсутствии рассеяния магнитного потока определяются
формулами (16.4) и (16.5) /14/

                                 Li = ω i2 / Z m ,                 (16.4)