Методы и средства измерений, испытаний и контроля. Никитин В.А - 291 стр.

                                       M ij = ω iω j / Z m ,                (16.5)

      где ω j и ω i - число витков i-й и j-й обмоток;
           Z m = Rm2 + X m2 - магнитное сопротивление,
                  n
                             lk             δ
           Rm = ∑                      +       - активная составляющая магнитного
                 k =1   µ0 ⋅ µk ⋅ Sk       µ0S
                      сопротивления,
           lk, Sk, µ к - соответственно длина, площадь поперечного сечения и
                     относительная магнитная проницаемость k-го участка
                     магнитопровода;
            µ 0 - магнитная проницаемость пустоты;
           δ - длина воздушного зазора;
           S - площадь поперечного сечения воздушного участка
                     магнитопровода;
            X m = P ωΦ 2 - реактивная составляющая магнитного сопротивления;
            Р - потери в магнитопроводе на частоте ω , обусловленные
                   вихревыми токами и гистерезисом;
           Ф - магнитный поток в магнитопроводе.
       Из приведенных формул следует, что индуктивность и взаимную
индуктивность можно изменять, воздействуя на длину или площадь
поперечного сечения воздушного участка магнитной цепи, на магнитную
проницаемость или на потери в магнитопроводе.
       Некоторые типы индуктивных преобразователей схематически показаны
на рисунке 16.4.




      Рисунок 16.4 - Индуктивные преобразователи
      Индуктивный преобразователь (рисунок 16.4а) с переменной длиной
воздушного зазора б характеризуется нелинейной (близкой к гиперболической)
зависимостью L = f ( δ ). Рабочее перемещение в таких преобразователях