Лабораторные работы по основам промышленной электроники. Николаев Г.М - 2 стр.

UptoLike

Iпр
Uпр
Uобр
Iобр
Iв
Iп
Лабораторная работа№1
Снятие и анализ характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Ознакомление с основными параметрами полупро-
водниковых диодов и снятие экспериментальным пу-
тем их вольт-амперных характеристик.
Полупроводниковым диодом называют прибор с одним элек-
трическим переходом и двумя выводами. В полупроводниковом дио-
де используется свойство р-п перехода хорошо проводить электриче-
ский ток в одном направлении и плохо пропускать его в противопо-
ложном направлении. Эти токи и соответствующие им напряжения
между выводами полупроводникового диода называют прямым и об-
ратным токами, прямым и обратным напряжениями.
По типу конструкции перехода различаются точечные и пло-
скостные полупроводниковые диоды.
По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на
выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности, полу-
проводниковые стабилитроны и импульсные диоды.
В данной работе исследуется кремневый выпрямительный диод
малой мощности КД103А, кремневый стабилитрон малой мощности
КС213Б и Туннельный диод АИ301. Вольт- амперные характеристи-
ки полупроводниковых диодов и их условные графические изобра-
жения приведены на рис.1.1 a, б, в.
Iпр
Uобр
Iпр
UпрUст
Iст
а) б) с)
Рис. 1.1.
- 3 -
Выпрямительные полупроводниковые диоды предназначены
для выпрямления переменного тока. Основными параметрами вы-
прямительных диодов являются: прямое напряжение V
ПР
, которое
нормируется при определенном прямом токе I
ПР
; максимально допус-
тимый прямой ток диода I
ПР. max
; максимально допустимое обратное
напряжение диода V
ОБР. max
; обратный ток диода I
ОБР
, который нор-
мируется при определенном обратном напряжении V
ОБР
.
Полупроводниковые стабилитроны предназначены для стабили-
зации напряжения. Основными параметрами стабилитрона являются:
напряжение на участке стабилизацииYст.; динамическое сопротив-
ление на участке стабилизации Rд = dVст /d Iст; минимальный ток ста-
билизации. I ст мин.; максимальный ток стабилизации Iстα мах ; темпера-
турный коэффициент напряжения на участке стабилизации TKV=
dVcст/dт.* 100. Температурный коэффициент напряжения ТКV пока-
зывает на сколько процентов изменится напряжение стабилизации
при изменении температуры полупроводника на один градус Цель-
сия. Для большинства стабилитронов ТКV=(-0,05± 0,2) %/С
0
Тоннельные диоды являются быстродействующими полупро-
водниковыми приборами и применяются в генераторах высокочас-
тотных колебаний и импульсных переключателях. Основными пара-
метрами тоннельного диода является ток пика Iп. И отношение тока
пика к току впадины Iп / Iв.. Для выпускаемых в промышленности
диодов Iп= 0,1±100 мА и Iп/ Iв=5±20.
Порядок выполнения работы
В работе используются: ГН2, ИсН4, ИэмВ,АВ1,АВ2,АВ0, съем-
ные элементы: Y1.Y2-КД103, КС213Б, АИ301, сменная панель 17Л-
03/11.
1 Установить сменную панель 17Л-03/ 11 на коммутирующее
плато и собрать цепь по схеме рисунок 1. 2а. Снять вольт- ам-
перную характеристику полупроводникового диода КД103А
Данные занести в таблицу 1. 1.
- 4 -
                    Лабораторная работа№1                                  Выпрямительные полупроводниковые диоды предназначены
                                                                      для выпрямления переменного тока. Основными параметрами вы-
 “Снятие и анализ характеристик полупроводниковых диодов”             прямительных диодов являются: прямое напряжение VПР, которое
                                                                      нормируется при определенном прямом токе IПР; максимально допус-
Цель работы: Ознакомление с основными параметрами полупро-            тимый прямой ток диода IПР. max; максимально допустимое обратное
             водниковых диодов и снятие экспериментальным пу-         напряжение диода VОБР. max; обратный ток диода IОБР, который нор-
             тем их вольт-амперных характеристик.                     мируется при определенном обратном напряжении VОБР.
                                                                           Полупроводниковые стабилитроны предназначены для стабили-
     Полупроводниковым диодом называют прибор с одним элек-           зации напряжения. Основными параметрами стабилитрона являются:
трическим переходом и двумя выводами. В полупроводниковом дио-        напряжение на участке стабилизацииYст.; динамическое сопротив-
де используется свойство р-п перехода хорошо проводить электриче-     ление на участке стабилизации Rд = dVст /d Iст; минимальный ток ста-
ский ток в одном направлении и плохо пропускать его в противопо-      билизации. I ст мин.; максимальный ток стабилизации Iстα мах ; темпера-
ложном направлении. Эти токи и соответствующие им напряжения          турный коэффициент напряжения на участке стабилизации TKV=
между выводами полупроводникового диода называют прямым и об-         dVcст/dт.* 100. Температурный коэффициент напряжения ТКV пока-
ратным токами, прямым и обратным напряжениями.                        зывает на сколько процентов изменится напряжение стабилизации
     По типу конструкции перехода различаются точечные и пло-         при изменении температуры полупроводника на один градус Цель-
скостные полупроводниковые диоды.                                     сия. Для большинства стабилитронов ТКV=(-0,05± 0,2) %/С0
     По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на               Тоннельные диоды являются быстродействующими полупро-
выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности, полу-         водниковыми приборами и применяются в генераторах высокочас-
проводниковые стабилитроны и импульсные диоды.                        тотных колебаний и импульсных переключателях. Основными пара-
     В данной работе исследуется кремневый выпрямительный диод        метрами тоннельного диода является ток пика Iп. И отношение тока
малой мощности КД103А, кремневый стабилитрон малой мощности           пика к току впадины Iп / Iв.. Для выпускаемых в промышленности
КС213Б и Туннельный диод АИ301. Вольт- амперные характеристи-
                                                                      диодов Iп= 0,1±100 мА и Iп/ Iв=5±20.
ки полупроводниковых диодов и их условные графические изобра-
жения приведены на рис.1.1 a, б, в.
                                                                                       Порядок выполнения работы
              Iпр                Iпр                     Iпр
                                                    Iп
                                                                           В работе используются: ГН2, ИсН4, ИэмВ,АВ1,АВ2,АВ0, съем-
                                                                      ные элементы: Y1.Y2-КД103, КС213Б, АИ301, сменная панель 17Л-
                                                    Iв                03/11.
                      Uст              Uпр                              1 Установить сменную панель 17Л-03/ 11 на коммутирующее
     Uобр                                    Uобр
                                 Iст                            Uпр         плато и собрать цепь по схеме рисунок 1. 2а. Снять вольт- ам-
                                                         Iобр               перную характеристику полупроводникового диода КД103А
а)                     б)                       с)
                                                                            Данные занести в таблицу 1. 1.
                            Рис. 1.1.
                              -3-                                                                      -4-