Лабораторные работы по основам промышленной электроники. Николаев Г.М - 5 стр.

                                                                                       р-п перехода П2?
R = 3Ком, сменная панель 17Л-03/12 .                                                 3 На каких физических явлениях основано отпирание ти-
       1 Установить сменную панель 17Л – 03 /12на коммути-                             ристора?
          рующее плато собрать цепь по схеме рис. 2.4.                               4 Перечислите основные параметры тиристора.
                                                x7       x8             1            5 Где на практике используются тиристоры?
                                                     А

                                                V                                                ЛАБОРАТОРНАЯ                РАБОТА   №3
                                                                    R
                    x3       x4
                         А                                              2
               x1                                               x9              «Снятие и анализ характеристик транзистора, включенного
                                      x5
                                                                                             по схеме с общим эмиттером»
          ГТ                      V                           ГН2

               x2                     x6                                        Цель работы: Ознакомление с основными параметрами бипо-
                                                                x10
                                                                                             лярного транзистора и снятие опытным путем его
                                                                                             статических входных и выходных характеристик.
                                  Рис. 2.4.
                                                                                     Транзисторы представляют собой полупроводниковые при-
      2 Задавая значения прямого напряженияVпр( что осуществ-                   боры, состоящие из трех областей с чередующимися типами элек-
        ляется увеличением ЭДС источника ИсН4), снять воль-                     тропроводимости.
        туамперную характеристику тристора при Iу=0, по дан-                         По принципу действия транзисторы делятся на биполярные
        ным построить вольт- амперную характеристику тири-                      и полевые. Транзистор называют биполярным из-за того, что фи-
        стора при Iу= 0                                                         зические процессы в нем связаны с движением носителей заря-
      3 Задавая различные значения тока управления Iу, также                    дов обоих знаков (свободных дырок и электронов). Устройство
        построить вольт- амперные характеристики данного ти-                    биполярного транзистора основано на явлениях взаимодействия
        ристора и сравнить их.                                                  двух близко расположенных р-п переходов. Возможны две трех-
      4 Задав некоторое небольшое значение тока в цепи гене-                    слойные структуры с различным чередованием участков с элек-
        ратора тока и изиеняя напряжение питания генератора                     тронной и дырочной проводимостью, отсюда различают транзи-
        ГН2, установить момент переключения тиристора.                          сторы двух типов: р-п-р и п-р-п. Структура и условные обозна-
                                                                                чения этих типов транзисторов приведены на рис 3.1 а, б.
                         Контрольные вопросы                                                             Э
                                                                                 p       n       p               К                             Э       К
                                                                                                                              n   p    n
                                                                            Э                        К
      1 Чем объяснить способность тиристора выдерживать до-                                                                                К
        вольно большое обратное напряжение?
      2 Можно ли утверждать, что участок ОА прямой ветви                                     Б               Б                    Б                Б
        вольт- амперной характеристики тиристора представляет                            а)                                           б)
        собой обратную ветвь вольт- амперной характеристики                                                      Рис. 3.1.
                                              -9-                                                                    - 10 -