Лабораторные работы по основам промышленной электроники. Николаев Г.М - 6 стр.

 У биполярного транзистора имеется три вывода. В транзисторе         ниями выражается вольт- амперными входными и выходными ха-
р-п-р-типа первый вывод от первой р- области, его называют           рактеристиками. Вид характеристик транзистора зависит от схе-
коллектором (к), второй вывод- от второй р- области называют         мы его включения. Различают три основных способа включения
эмитером (Э), третий вывод –от п-области называют базой (Б).         транзисторов в схему в зависимости от того, какой из этих элек-
     Различают четыре режима работы транзистора, из них ос-          тродов является общим для входной и выходной цепей транзисто-
новным является активный режим работы, в котором переход             ра: схема с общим эмиттером, схема с общей базой и схема с об-
эмиттер – база включен- в обратном.                                  щим коллектором (рис. 3.2.) В данной работе исследуется схема
При приложении напряжений между коллектором и эмиттером, а           транзистора с общим эмиттером (рис. 3.2 б.).
также базой и эмиттером (рис.3.1а) потекут токи: базы Iб, эмитте-                            -Eк                                                                 -Eб
                                                                                                                        R
ра Iэ, коллектора Iк. Эти токи связаны соотношением:                                                                        С
                                                                                     R
                        Iэ = Iб +Iк                                                      С
При работе транзисторов в усилителях необходимо знать зависи-                                                                                                С

мости между изменением этих токов ∆I при малых изменениях             ~ Uвх                   Uвых ~ Uвх                        Uвых   ~ Uвх                      Uвых
                                                                                                                                                         R
на ∆Vэб скачком сигнала управления Vэб и Vкб =конst.при пренебре-
жении переходными процессами в транзисторе, можно считать,
                                                                              а)                б)                 в)
что все токи транзистора изменяются скачком, т.е.∆ Iэ= ∆Iб+∆.Ir/
                                                                                                Рис. 3.2.
Для малых значений ∆Vэб цепь с транзистором можно рассматри-
                                                                     Для графического расчета усилительных устройств на транзисто-
вать как линейную цепь с одним источником напряжения ∆Vэб
                                                                     рах необходимы семейства их вольт- амперных характеристик На
Для такой цепи    ∆Iк =α* ∆Iэ .
                                                                     рисунке 3.3. приведены такие свойства вольт – амперных харак-
                                                                     теристик для триода, включенного по схеме с общим эмиттером.
                   ∆Iк=(α/α-1)∆IБ=β*∆IБ,
                                                                     Первое семейство характеристик- зависимость между током и на-
                                                                     пряжением во входной цепи транзистора Iб=f1(Vбэ), которую на-
где α= αIк/αIэ≈(∆Ik/∆iэ)Vkv=const    -дифференциальный коэффициент
                                                                     зывают входной или базовой характеристикой транзистора (рис.
передачи тока эмиттера:
                                                                     3.3а). Второе семейство характеристик - зависимость тока кол-
                                                                     лектора от напряжения между коллектором и эмиттером при
                       β=dIk/dIБ=(∆IK/∆IБ)Vk= const                                                                                               Iб4
                                                                                                              Iк[мА]
                                                                                   Vк1             Vк2                                            Iб3
                                                                     Iб[мкA]
Дифференциальный коэффициент передачи тока базы α= 0,98-                                                                                         Iб2
0,99, β= 50-100                                                                                                                                 Iб1
Коэффициент α и β являются параметрами плоскостных бипо-
                                                                                                    Vбэ[B]                               Iб=0
лярных транзисторов.
                                                                                                                                                Vкэ[B]
   Заметим, что при высоких частотах вышесказанное допущение
несправедливо и поэтому выражения для коэффициентов α и β                            а)                                          б)
также неверны.                                                                                               Рис. 3.3.
  Связь между токами в транзисторе и приложенными напряже-
                                    - 11 -                                                                     - 12 -